[發明專利]抗蝕圖案的形成方法及顯影液有效
| 申請號: | 201080019592.1 | 申請日: | 2010-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN102414625A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發明(設計)人: | 東野誠司;近重幸 | 申請(專利權)人: | 株式會社德山 |
| 主分類號: | G03F7/32 | 分類號: | G03F7/32;G03F7/004;G03F7/038;G03F7/38;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 賈成功 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 形成 方法 顯影液 | ||
1.一種抗蝕圖案的形成方法,其特征在于,含有以下工序:
抗蝕膜形成工序:在基板上形成含有選自由下述式(1)表示的杯芳烴衍生物1及下述式(2)表示的杯芳烴衍生物2組成的組的至少一種的杯芳烴衍生物的抗蝕膜,
其中,R為碳數為1~10的烷基,
其中,R為碳數為1~10的烷基,并且,
n為1~3的整數;
潛像形成工序:對所述抗蝕膜的一部分選擇性地曝光高能射線而形成圖案的潛像;以及
顯影工序:使形成了潛像的所述抗蝕膜與含有選自由含氟烷基醚及含氟醇組成的組的至少一種的含氟溶劑的顯影液接觸而將沒有曝光于高能射線的抗蝕膜的部分除去,由此對所述潛像進行顯影。
2.根據權利要求1所述的抗蝕圖案的形成方法,其中,含氟溶劑是沸點在大氣壓下為40℃以上的含氟溶劑。
3.根據權利要求1或2所述的抗蝕圖案的形成方法,其中,對于通過潛像形成工序而得到的基板,在交付于顯影工序前交付于在80℃~130℃的溫度下進行加熱處理的加熱工序。
4.根據權利要求1~3的任一項所述的方法,其中,在潛像形成工序中進行曝光的高能射線的照射量為0.8mC/cm2以下。
5.一種抗蝕劑用顯影液,其含有選自由含氟烷基醚及含氟醇組成的組中的至少一種的含氟溶劑。
6.根據權利要求5所述的顯影液,其中,抗蝕劑為負性抗蝕劑。
7.根據權利要求6所述的顯影液,其中,負性抗蝕劑包含杯芳烴衍生物。
8.根據權利要求5~7的任一項所述的顯影液,其用于對在高能射線的照射量為0.8mC/cm2以下形成了潛像的負性抗蝕劑進行顯影。
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