[發明專利]用于PVD腔室的濺射靶材

無效

• 申請號: 201080019306.1
• 申請日: 2010-03-30
• 公開（公告）號: CN102414793A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: Z·劉;R·王;X·唐;S·岡迪科塔;T-J·龔;M·M·拉希德
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/203
• 分類號: H01L21/203;C23C14/34
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉;張欣

1.一種濺射設備，包括：

腔室，該腔室具有界定處理區域的壁，該處理區域包括基板支撐件；

靶材，該靶材與所述基板支撐件相間隔；及

功率源，該功率源耦接至所述靶材以自所述靶材濺射材料，所述靶材具有界定可濺射靶材表面的正面，該可濺射靶材表面延伸于所述靶材的周圍邊緣之間，且該可濺射靶材表面界定實質上在所述周圍邊緣之間的整體凹面形狀。

2.如權利要求1所述的設備，其中該整體凹面形狀由被斜面區圍繞的實質平坦中心區所界定。

3.如權利要求2所述的設備，其中所述斜面區的傾斜角度在約5至30度范圍中，以致所述靶材的所述周圍邊緣處的厚度大于所述中心區處的厚度。

4.如權利要求3所述的設備，其中所述斜面區的角度在約7至13度范圍中。

5.如權利要求3所述的設備，其中所述斜面區延伸至所述周圍邊緣。

6.如權利要求3所述的設備，其中所述斜面區延伸至外周圍正面區。

7.如權利要求4所述的設備，其中所述靶材周圍邊緣界定靶材直徑R_p，而所述中心區具有直徑R_c，且所述中心區直徑使得R_c/R_p比例為自0％至約90％。

8.如權利要求7所述的設備，其中所述R_c/R_p比例為至少約60％且小于約90％。

9.一種用于濺射腔室的靶材組件，該靶材包括界定可濺射靶材表面的正面，該可濺射靶材表面延伸于周圍邊緣之間，且該可濺射靶材表面界定實質上在該等周圍邊緣之間的整體凹面形狀。

10.如權利要求9所述的靶材組件，其中該整體凹面形狀由被斜面區圍繞的實質平坦中心區所界定。

11.如權利要求10所述的靶材組件，其中所述斜面區的傾斜角度在約5至20度范圍中，以致所述靶材的所述周圍邊緣處的厚度大于所述中心區處的厚度。

12.如權利要求11所述的靶材組件，其中所述斜面區的角度在約7至13度范圍中。

13.如權利要求11所述的靶材組件，其中所述靶材周圍邊緣界定靶材直徑R_p，而所述中心區具有直徑R_c，且所述中心區直徑使得R_c/R_p比例為至少約50％且小于約90％。

14.如權利要求13所述的靶材組件，其中所述R_c/R_p比例為至少約60％且小于約90％。

15.如權利要求9所述的靶材組件，其中所述靶材接合至背板。