[發(fā)明專利]貼合晶片的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080019226.6
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN102414785A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 川合信;飛坂優(yōu)二;秋山昌次
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;陳桂香

1.一種貼合晶片的制造方法，其包括下述步驟：

從施主基板的表面向所述施主基板注入離子，形成離子注入界面；

在所述施主基板的進行了離子注入的所述表面上，貼合熱膨脹系數(shù)比所述施主基板大的操作基板，制成貼合基板；

對所述貼合基板進行熱處理，制成接合體；和

當所述接合體冷卻到室溫以下的溫度后，在所述離子注入界面上剝離所述接合體的所述施主基板，將施主膜轉(zhuǎn)印到所述操作基板上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼合晶片的制造方法，其特征在于，在剝離工序中所述室溫以下的溫度為-50℃以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的貼合晶片的制造方法，其特征在于，

所述施主基板的材料是硅，且

所述操作基板的材料是從氧化鋁、氮化鋁、碳化硅、氮化硅、硅鋁氧氮耐熱陶瓷和氮化鎵中選擇的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的貼合晶片的制造方法，其特征在于，

在剝離工序中將所述接合體冷卻到室溫以下的溫度是通過將所述接合體放置在所述鋁塊上、并用干冰冷卻鋁塊周圍進行的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的貼合晶片的制造方法，其特征在于，

在剝離工序中的所述剝離利用在以1MPa以上的壓力向貼合界面噴吹氣體或液體等的流體射流時，在相反方向拉動所述施主基板和所述操作基板來進行。