[發(fā)明專利]線路變換構(gòu)造以及利用該線路變換構(gòu)造的天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080018880.5
• 申請日: 2010-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN102414912A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郡山慎一
• 申請（專利權(quán)）人: 京瓷株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01P5/10
• 分類號(hào): H01P5/10;H01P5/107;H01Q13/10
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種線路變換構(gòu)造，其用于將高頻傳輸線路變換到縫隙線路，其特征在于，所述線路變換構(gòu)造包括：

高頻傳輸線路，其包括電介質(zhì)層、配置在該電介質(zhì)層的上表面上的信號(hào)導(dǎo)體、以及配置在所述電介質(zhì)層的下表面上的接地層；以及

縫隙線路，其包括配置在所述電介質(zhì)層的上表面上且通過貫通所述電介質(zhì)層的貫通導(dǎo)體與所述接地層相連接的縫隙接地導(dǎo)體、配置在所述電介質(zhì)層的上表面上的縫隙信號(hào)導(dǎo)體、以及配置在所述縫隙接地導(dǎo)體與所述縫隙信號(hào)導(dǎo)體之間的縫隙，

其中，所述高頻傳輸線路的所述信號(hào)導(dǎo)體與所述縫隙接地導(dǎo)體之間設(shè)有間隙且與所述縫隙接地導(dǎo)體以及所述縫隙正交，并且所述信號(hào)導(dǎo)體的前端與所述縫隙信號(hào)導(dǎo)體相連接，

所述縫隙接地導(dǎo)體的夾著所述間隙并與所述信號(hào)導(dǎo)體平行的部分的長度為所述高頻傳輸線路進(jìn)行傳輸?shù)男盘?hào)的波長的0.25倍以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路變換構(gòu)造，其特征在于，

與所述縫隙接地導(dǎo)體的夾著所述間隙并與所述信號(hào)導(dǎo)體平行的部分最接近的所述貫通導(dǎo)體與所述信號(hào)導(dǎo)體之間的間隔為所述高頻傳輸線路進(jìn)行傳輸?shù)男盘?hào)的波長的0.13倍以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線路變換構(gòu)造，其特征在于，

按照覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)體的與所述縫隙線路正交的部分及所述間隙、以及所述縫隙線路的所述間隙與所述縫隙信號(hào)導(dǎo)體之間的部分的方式，經(jīng)由上側(cè)電介質(zhì)層而形成上側(cè)接地層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的線路變換構(gòu)造，其特征在于，

在所述電介質(zhì)層的上表面，配置對所述縫隙的至少一方的端部進(jìn)行封閉的縫隙圖案導(dǎo)體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線路變換構(gòu)造，其特征在于，

按照對所述縫隙的兩方的端部進(jìn)行封閉的方式，在所述電介質(zhì)層的上表面上配置2個(gè)所述縫隙圖案導(dǎo)體，

所述縫隙圖案導(dǎo)體的與所述信號(hào)導(dǎo)體垂直的部分的長度為所述高頻傳輸線路進(jìn)行傳輸?shù)男盘?hào)的波長的0.25倍以下，

在從所述縫隙的端部起的與所述信號(hào)導(dǎo)體背離的方向上的、所述高頻傳輸線路進(jìn)行傳輸?shù)男盘?hào)的波長的0.25倍以內(nèi)的區(qū)域中，形成接地強(qiáng)化導(dǎo)體，該接地強(qiáng)化導(dǎo)體貫通所述電介質(zhì)層并且對所述縫隙接地導(dǎo)體和所述接地層進(jìn)行連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的線路變換構(gòu)造，其特征在于，

所述高頻傳輸線路包括：所述電介質(zhì)層、所述信號(hào)導(dǎo)體、所述接地層、形成在所述電介質(zhì)層的上表面上的上側(cè)電介質(zhì)層、形成在所述上側(cè)電介質(zhì)層的上表面上的上側(cè)接地層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的線路變換構(gòu)造，其特征在于，

將所述接地強(qiáng)化導(dǎo)體設(shè)置為使其貫通所述上側(cè)電介質(zhì)層并且對所述縫隙接地導(dǎo)體和所述上側(cè)接地層進(jìn)行連接。

8.一種天線，其特征在于所述天線包括：

對所述縫隙的兩方的端部進(jìn)行封閉的根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的線路變換構(gòu)造；

形成在所述電介質(zhì)層的下表面上的下側(cè)電介質(zhì)層；

形成在該下側(cè)電介質(zhì)層的下表面上的下側(cè)接地層；

形成在所述接地層的與所述縫隙對置的部分上的第一開口；

形成在所述下側(cè)接地層的與所述縫隙對置的部分上的第二開口；以及

按照在俯視圖上包圍所述第一開口以及所述第二開口的方式進(jìn)行排列且對所述接地層和所述下側(cè)接地層進(jìn)行連接的多個(gè)屏蔽導(dǎo)體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線，其特征在于，

與所述第二開口相比，所述第一開口的與所述信號(hào)導(dǎo)體平行的方向的長度較短。