[發明專利]連鑄用的結晶器有效
| 申請號： | 201080018864.6 | 申請日： | 2010-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN102421944A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | E·埃弗茲;R·埃弗茲;S·埃弗茲 | 申請（專利權）人： | 埃貢埃弗茲兩合公司(有限公司及兩合公司) |
| 主分類號： | C25D5/12 | 分類號： | C25D5/12;C25D5/48;C25D7/00;C25D15/02;C25D15/00;B22D11/059 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 俞海舟 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 連鑄用 結晶器 | ||
【權利要求書】：
1.金屬或者金屬合金連鑄用的銅結晶器或者銅結晶器板，其包含在結晶器內壁上的或在面向連續鑄錠的結晶器板側上的鍍層，其特征在于是通過電解敷設的銅層。
2.按照權利要求1的銅結晶器或者銅結晶器板，其特征在于，銅層具有1mm至25mm、優選3mm至15mm的厚度。
3.按照權利要求1或2的銅結晶器或者銅結晶器板，其特征在于，該銅層與基體相比具有較大的硬度。
4.按照權利要求1至3中一項的銅結晶器或者銅結晶器板，其特征在于，在所述銅層中嵌入SiC顆粒。
5.按照權利要求4的銅結晶器或銅結晶器板，其特征在于，SiC顆粒具有0.3μm至1μm的粒度。
6.按照權利要求4或5中一項的銅結晶器或銅結晶器板，其特征在于，SiC顆粒在銅層中的體積百分比為至少5％且最大為15％。
7.連鑄用的銅結晶器或銅結晶器板的加工方法，其中，通過機械方式鏟平由于連鑄被磨損的內面，直至磨損刮痕的最大深度，并且接著對其重新進行鍍層，其特征在于，使用銅作為鍍層材料，該銅通過電解敷設，優選敷設厚度為1mm至25mm。
8.按照權利要求7的方法，其特征在于，銅結晶器或者銅結晶器板的多個部分設有附加的鎳外層。
9.按照權利要求7或8中一項的方法，其特征在于，通過強化滾壓對已敷設的層進行后續處理。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于埃貢埃弗茲兩合公司(有限公司及兩合公司)，未經埃貢埃弗茲兩合公司(有限公司及兩合公司)許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201080018864.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：包括結構化有機膜(SOF)的電子裝置
- 下一篇：一種半導體致冷器件
