[發明專利]光電轉換裝置

無效

• 申請號: 201080018505.0
• 申請日: 2010-08-10
• 公開（公告）號: CN102414841A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 西宮立享
• 申請（專利權）人: 三菱重工業株式會社
• 主分類號: H01L31/077
• 分類號: H01L31/077;H01L31/0352
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張勁松

1.一種光電轉換裝置，其特征在于，

在基板上具備透明電極層、和至少一個的光電轉換層，

至少一個的所述光電轉換層包含：p型結晶質硅層、i型結晶質硅層、以及n型硅層，

在所述透明電極層與所述p型結晶質硅層之間鄰接配置有非晶質硅層。

2.如權利要求1所述的光電轉換裝置，其特征在于，

具有兩個以上的所述光電轉換層，

所述透明電極層為配置于兩個以上的所述光電轉換層之間的中間接觸層，

所述光電轉換層中，相對于所述中間接觸層位于與基板相反側的光電轉換層包含：以結晶質硅為主的p型結晶質硅層、i型結晶質硅層、以及n型硅層，

在所述中間接觸層與所述p型結晶質硅層之間鄰接配置有非晶質硅層。

3.如權利要求1或2所述的光電轉換裝置，其特征在于，

所述非晶質硅層為p型非晶質硅層或i型非晶質硅層。

4.如權利要求1～3中任意一項所述的光電轉換裝置，其特征在于，

所述非晶質硅層的膜厚為1nm以上且30nm以下。