[發(fā)明專利]特征在于錐形沉積室中密度優(yōu)化的HULA襯底支架的剝離沉積系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080016830.3
• 申請日: 2010-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN102405302A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·常;G·華萊士
• 申請（專利權(quán)）人: 磁性流體技術(shù)（美國）公司
• 主分類號(hào): C23C14/00
• 分類號(hào): C23C14/00
• 代理公司: 北京金闕華進(jìn)專利事務(wù)所(普通合伙) 11224
• 代理人: 陳建春

1.一種使用剝離工藝通過蒸發(fā)將材料沉積在襯底上的設(shè)備，所述設(shè)備包括：

錐形外殼，該錐形外殼具有圓頂、底部開口和從圓頂朝向底部開口收斂的側(cè)壁；

蒸發(fā)源，該蒸發(fā)源鄰近所述底部開口定位并與延伸通過圓頂?shù)闹行狞c(diǎn)的第一軸對準(zhǔn)；

位于蒸發(fā)源上方并鄰近圓頂?shù)闹醒腭讽敔罴撝醒腭讽敔罴哂信c第一軸對準(zhǔn)的中心點(diǎn)，其中該中央穹頂狀件繞中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)；

一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件，所述軌道穹頂狀件位于蒸發(fā)源上方并鄰近圓頂且處于距圓頂中心點(diǎn)恒定半徑處，其中一個(gè)或多個(gè)穹頂狀件繞第一軸旋轉(zhuǎn)，及其中每一軌道穹頂狀件同時(shí)繞延伸通過該軌道穹頂狀件的中心點(diǎn)的第二軸旋轉(zhuǎn)，一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件的直徑和凹面均與中央穹頂狀件相等；

位于蒸發(fā)源和中央穹頂狀件之間的均勻性掩模，該均勻性掩模操作上保證僅與中央穹頂狀件一起使用；及

一個(gè)或多個(gè)晶片接收位置，位于一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件和中央穹頂狀件中的每一個(gè)內(nèi)，用于在其中接收晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其中一個(gè)或多個(gè)晶片接收位置與蒸發(fā)源正交。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，還包括定位一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件和中央穹頂狀件并使其繞第一軸旋轉(zhuǎn)的支撐結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述支撐結(jié)構(gòu)定位一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件和中央穹頂狀件，其中由一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件和中央穹頂狀件形成的弧線與其中心在第一軸上且位于蒸發(fā)源處的球體的圓周一致。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述支撐結(jié)構(gòu)包括使一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件繞其各自的第二軸旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其中一個(gè)或多個(gè)軌道穹頂狀件等于六個(gè)軌道穹頂狀件。

7.一種使用剝離工藝的氣相沉積裝置，該裝置包括：

蒸發(fā)源；

安裝成繞通過蒸發(fā)源的第一軸旋轉(zhuǎn)的空間框架；

安裝到所述空間框架上的中央穹頂狀晶片支架，其中中央穹頂狀晶片支架的中心點(diǎn)與所述第一軸對準(zhǔn)；

安裝到所述空間框架上的軌道穹頂狀晶片支架，軌道穹頂狀晶片支架處于偏離第一軸的位置并可繞通過該軌道穹頂狀晶片支架的中心點(diǎn)和蒸發(fā)源的第二軸旋轉(zhuǎn)；及

中央穹頂狀晶片支架和軌道穹頂狀晶片支架上的多個(gè)晶片位置，其中每一晶片位置均偏離第一軸和第二軸，多個(gè)晶片位置中的每一個(gè)構(gòu)造成將安裝于其中的晶片的襯底表面定向成在繞第一軸和第二軸旋轉(zhuǎn)期間與從晶片位置延伸到蒸發(fā)源的徑向軸正交。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，還包括具有圓頂、底部開口和從圓頂朝向底部開口收斂的側(cè)壁的錐形外殼，該錐形外殼包圍鄰近底部開口的蒸發(fā)源和鄰近圓頂?shù)目臻g框架、中央穹頂狀晶片支架及軌道穹頂狀晶片支架。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中所述空間框架包括使中央穹頂狀晶片支架和軌道穹頂狀晶片支架繞第一軸及使軌道穹頂狀晶片支架繞第二軸旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中所述中央穹頂狀晶片支架和軌道穹頂狀晶片支架關(guān)于蒸發(fā)源具有恒定的半徑。

11.根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中多個(gè)晶片位置中的每一個(gè)為晶片接收開口。

12.一種使用剝離工藝的氣相沉積裝置，包括：

蒸發(fā)源；

用于定位一個(gè)或多個(gè)晶片的中央裝置，其中一個(gè)或多個(gè)晶片中的每一個(gè)的中心與蒸發(fā)源等距，用于定位的裝置使一個(gè)或多個(gè)晶片繞通過蒸發(fā)源的第一軸旋轉(zhuǎn)；

用于定位一個(gè)或多個(gè)晶片且偏離所述中央裝置的軌道裝置，其中用于定位的軌道裝置的一個(gè)或多個(gè)晶片中的每一個(gè)的中心與蒸發(fā)源等距，用于定位的軌道裝置使一個(gè)或多個(gè)晶片繞通過蒸發(fā)源的第二軸旋轉(zhuǎn)；及

用于使所述中央裝置和所述軌道裝置繞第一軸旋轉(zhuǎn)及使所述軌道裝置繞第二軸旋轉(zhuǎn)的裝置。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的裝置，其中用于定位的中央裝置、用于定位的軌道裝置和用于旋轉(zhuǎn)的裝置使一個(gè)或多個(gè)晶片同時(shí)繞第一軸和第二軸旋轉(zhuǎn)。