[發明專利]用于提供針對石墨烯的電連接的方法和裝置

無效

• 申請號: 201080016809.3
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN102396084A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: S·M·哈克;R·萊赫蒂涅米;A·凱爾凱寧;L·萊希納;P·哈科寧
• 申請（專利權）人: 諾基亞公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L21/02;B82B3/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張靜美;楊曉光

1.一種方法，其包括：

在石墨烯層中形成凹部，其中，所述凹部在所述石墨烯層的第一部分與所述石墨烯層的第二部分之間創建了邊界；

在所述凹部內沉積電絕緣材料；以及

在所述絕緣材料上沉積電傳導材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其包括：使得能夠針對所述石墨烯層的第一部分實現電連接。

3.根據任何前述權利要求所述的方法，其中，所述凹部將所述石墨烯層的第一部分與所述石墨烯層的第二部分相分離。

4.根據任何前述權利要求所述的方法，其進一步包括：使用聚焦離子束來形成所述凹部。

5.根據任何前述權利要求所述的方法，其進一步包括：使用聚焦離子束在所述凹部內沉積所述電絕緣材料。

6.根據任何前述權利要求所述的方法，其進一步包括：使用聚焦離子束來沉積所述電傳導材料。

7.根據任何前述權利要求所述的方法，其中，所述凹部圍繞所述石墨烯層的第一部分。

8.根據任何前述權利要求所述的方法，其中，所述絕緣材料包括氧化物。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述絕緣材料包括二氧化硅。

10.根據任何前述權利要求所述的方法，其中，所述電傳導材料包括鉻合金。

11.根據任何前述權利要求所述的方法，其包括：沉積接觸部分，其中，所述接觸部分提供了在所述石墨烯層的第一部分與所述電傳導材料之間的電連接。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述接觸部分包括與所述電傳導材料不同的材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述接觸部分包括鈀。

14.一種裝置，其包括：

石墨烯層，所述石墨烯層包括第一部分和第二部分，其中，凹部在所述第一部分和所述第二部分之間創建了邊界；

在所述凹部內的電絕緣材料；以及

在所述絕緣材料上的電傳導材料。

15.根據權利要求14所述的裝置，其中，所述電傳導材料使得能夠針對所述石墨烯層的所述第一部分實現電連接。

16.根據權利要求14至15中的任何一個所述的裝置，其中，所述第一部分是通過所述凹部而與所述第二部分相分離的。

17.根據權利要求14至16所述的裝置，其中，所述凹部是使用聚焦離子束來形成的。

18.根據權利要求14至17中的任何一個所述的裝置，其中，使用聚焦離子束將所述電絕緣材料沉積在所述凹部內。

19.根據權利要求14至18中的任何一個所述的裝置，其中，使用聚焦離子束來沉積所述電傳導材料。

20.根據權利要求14至20中的任何一個所述的裝置，其中，所述凹部圍繞所述石墨烯層的所述第一部分。

21.根據權利要求14至20中的任何一個所述的裝置，其中，所述絕緣材料包括氧化物。

22.根據權利要求21所述的裝置，其中，所述絕緣材料包括二氧化硅。

23.根據權利要求14至22中的任何一個所述的裝置，其中，所述電傳導材料包括鉻合金。

24.根據權利要求14至23中的任何一個所述的裝置，其中，所述裝置包括接觸部分，所述接觸部分被配置以便提供在所述石墨烯層的所述第一部分與所述電傳導材料之間的電連接。

25.根據權利要求24所述的裝置，其中，所述接觸部分包括與所述電傳導材料不同的材料。

26.根據權利要求25所述的裝置，其中，所述接觸部分包括鈀。