[發明專利]沉積包含銻的相變材料到襯底的方法和形成相變存儲器電路的方法

有效

• 申請號: 201080016496.1
• 申請日: 2010-03-24
• 公開（公告）號: CN102396061A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 蒂莫西·A·奎克;尤金·P·馬什
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種沉積包含銻的相變材料到襯底的方法，其包含向襯底提供還原劑和汽化的Sb(OR)₃，其中R是烷基；和借此在所述襯底上形成包含銻的相變材料，所述相變材料具有不大于10原子％的氧且包含除銻外的另一金屬。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在向所述襯底提供所述還原劑和所述汽化Sb(OR)₃時所述襯底的溫度不大于450℃。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成產生具有不大于5原子％的氧的所述相變材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成產生具有不大于1原子％的氧的所述相變材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成產生不具有可檢測到的氧的所述相變材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中同時向所述襯底提供所述還原劑和所述Sb(OR)₃。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述還原劑包含NH₃、H₂、CH₂O和CH₂O₂中的至少一者。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在不同時刻向所述襯底提供所述還原劑和所述Sb(OR)₃。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述另一金屬包含Ge。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述另一金屬包含Te。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述另一金屬包含Ge和Te。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述另一金屬包含In、Se、Ga、B、Sn和Ag中的至少一者。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成包含化學氣相沉積。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述化學氣相沉積是在不存在等離子體的情形下實施。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述化學氣相沉積經等離子體增強。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述另一金屬包含Ge，且所述方法包含在向所述襯底提供所述Sb(OR)₃的同時向所述襯底提供包含Ge的前體。

17.根據權利要求13所述的方法，其中所述另一金屬包含Te，且所述方法包含在向所述襯底提供所述Sb(OR)₃的同時向所述襯底提供包含Te的前體。

18.根據權利要求13所述的方法，其中所述另一金屬包含Ge和Te，且所述方法包含在向所述襯底提供所述Sb(OR)₃的同時向所述襯底提供包含Ge的前體和向所述襯底提供包含Te的前體。

19.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成包含原子層沉積。

20.根據權利要求1所述的方法，其中所述包含銻的相變材料的所述形成包含：

在所述襯底上從所述Sb(OR)₃形成包含Sb(OR)_x的單層，其中“x”小于3；和

在形成所述單層后，向所述單層提供所述還原劑以從Sb移除OR配位體。

21.一種形成相變存儲器電路的方法，其包含：

在襯底上形成內部電極材料；

在所述內部電極材料上沉積包含銻的相變材料，所述沉積包含在所述內部電極材料上提供還原劑和汽化Sb(OR)₃，其中R是烷基；和借此在所述內部電極材料上形成包含銻的相變材料，所述相變材料具有不大于10原子％的氧且包含除銻外的另一金屬；和

在所述包含銻的相變材料上形成外部電極材料。

22.根據權利要求21所述的方法，其包含形成與所述內部電極材料直接物理接觸的所述包含銻的相變材料，和形成與所述包含銻的相變材料直接物理接觸的所述外部電極材料。

23.根據權利要求21所述的方法，其中形成所述包含銻的相變材料產生具有不大于1原子％的氧的所述相變材料。