[發明專利]制造半導體襯底的方法

無效

• 申請號: 201080015897.5
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102388433A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 佐佐木信;原田真;西口太郎;沖田恭子;并川靖生
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種制造半導體襯底的方法，包括以下步驟：

準備組合襯底，所述組合襯底具有支撐部(30)以及第一和第二碳化硅襯底(11，12)，所述第一碳化硅襯底具有與所述支撐部相連接的第一背面、相對于所述第一背面相反的第一正面(F1)、以及連接所述第一背面和所述第一正面的第一側面(S1)，所述第二碳化硅襯底具有與所述支撐部相連接的第二背面、相對于所述第二背面相反的第二正面(F2)、以及連接所述第二背面和所述第二正面的第二側面(S2)，所述第二側面被設置成使得在所述第一側面和所述第二側面之間形成間隙，所述間隙具有在所述第一正面和所述第二正面之間的開口；

通過將熔融的硅從所述開口引入到所述間隙來形成用于連接所述第一和第二側面以便封閉所述開口的硅連接部(BDp)；以及

通過碳化所述硅連接部來形成用于連接所述第一和第二側面以便封閉所述開口的碳化硅連接部(BDa)。

2.根據權利要求1所述的制造半導體襯底的方法，其中，

形成所述碳化硅連接部的步驟包括為所述硅連接部供應含有碳元素的氣體的步驟。

3.根據權利要求1所述的制造半導體襯底的方法，還包括：

在形成所述碳化硅連接部的步驟之后露出所述第一和第二正面的步驟。

4.根據權利要求1所述的制造半導體襯底的方法，還包括：

在形成所述硅連接部的步驟之后且在形成所述碳化硅連接部的步驟之前，對所述第一和第二正面進行拋光的步驟。

5.根據權利要求1所述的制造半導體襯底的方法，其中，形成所述硅連接部的步驟包括以下步驟：

在所述開口上方設置用于覆蓋所述間隙的硅層(70)；以及

熔融所述硅層。

6.根據權利要求5所述的制造半導體襯底的方法，其中，

使用化學氣相沉積法、蒸發法和濺射法中的任意一種來進行設置所述硅層的步驟。

7.根據權利要求1所述的制造半導體襯底的方法，其中，形成所述硅連接部的步驟包括以下步驟：

準備熔融的硅(22)；以及

將所述開口浸入到所述熔融的硅中。

8.根據權利要求1所述的制造半導體襯底的方法，其中，

所述支撐部由碳化硅制成。