[發(fā)明專利]用于光伏電池導(dǎo)體中的玻璃組合物

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080015885.2
• 申請(qǐng)日: 2010-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN102369168A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·F·卡羅爾;B·J·勞克林;K·W·杭;Y·王
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司
• 主分類號(hào): C03C3/062
• 分類號(hào): C03C3/062;C03C3/066;C03C8/06;H01B1/16;H01L29/43;H01L31/0224;H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明

1.組合物，所述組合物包含：

(a)一種或多種導(dǎo)電材料；

(b)一種或多種玻璃料，其中所述玻璃料的至少一種包含按所述玻璃組合物的重量％計(jì)：

8-19重量％的SiO₂，

0-2重量％的B₂O₃；

1-17重量％的氟；

47-75重量％的鉍；

(c)有機(jī)載體。

2.權(quán)利要求1的組合物，其中所述鉍選自：Bi₂O₃和BiF₃，并且其中所述Bi₂O₃+BiF₃按所述玻璃組合物的重量％計(jì)為55-85重量％。

3.權(quán)利要求1的組合物，其中所述氟選自：NaF、LiF、BiF₃和KF。

4.權(quán)利要求1的組合物，所述組合物還包含一種或多種添加劑，所述添加劑選自：(a)金屬，其中所述金屬選自鋅、鉛、鉍、釓、鈰、鋯、鈦、錳、錫、釕、鈷、鐵、銅、和鉻；(b)一種或多種金屬的金屬氧化物，所述金屬選自鋅、鉛、鉍、釓、鈰、鋯、鈦、錳、錫、釕、鈷、鐵、銅和鉻；(c)在焙燒時(shí)能夠生成(b)的所述金屬氧化物的任何化合物；以及(d)它們的混合物。

5.權(quán)利要求4的組合物，其中所述添加劑的至少一種包含ZnO、或在焙燒時(shí)形成ZnO的化合物。

6.權(quán)利要求1的組合物，其中所述玻璃料為所述總組合物的1-6重量％。

7.權(quán)利要求1的組合物，其中所述導(dǎo)電材料包括銀。

8.權(quán)利要求7的組合物，其中所述銀為所述組合物中的固體的90-99重量％。

9.權(quán)利要求5的組合物，其中所述ZnO為所述總組合物的2-10重量％。

10.制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

(a)提供半導(dǎo)體基板、一個(gè)或多個(gè)絕緣膜，以及權(quán)利要求1的厚膜組合物；

(b)將所述絕緣膜施加在所述半導(dǎo)體基板上，

(c)將所述厚膜組合物施加在所述半導(dǎo)體基板上的絕緣膜上，以及

(d)焙燒所述半導(dǎo)體、絕緣膜和厚膜組合物。

11.權(quán)利要求10的方法，其中所述絕緣膜包含一種或多種選自下列的組分：氧化鈦、氮化硅、SiN_X:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化鈦。

12.由權(quán)利要求10的方法制造的半導(dǎo)體裝置。

13.包括電極的半導(dǎo)體裝置，其中所述電極在焙燒之前包含權(quán)利要求1的組合物。

14.包括權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置的太陽能電池。

15.半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板、絕緣膜、和正面電極，其中所述正面電極包含一種或多種組分，所述組分選自硅酸鋅、硅鋅礦和硅酸鉍。