[發(fā)明專利]用于投射曝光系統(tǒng)的具有至少一個(gè)磁體的致動(dòng)器、致動(dòng)器的制造方法、以及具有磁體的投射曝光系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080015703.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-02-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102388343A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿明.沃伯;諾伯特.穆埃爾伯格;阿爾穆特.恰普;于爾根.費(fèi)希爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20;G02B26/08;H01F7/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 投射 曝光 系統(tǒng) 具有 至少 一個(gè) 磁體 致動(dòng)器 制造 方法 以及 | ||
1.用于微光刻的投射曝光系統(tǒng),具有至少一個(gè)磁體或至少一個(gè)致動(dòng)器,所述致動(dòng)器包括至少一個(gè)磁體(1、22),其特征在于:
所述至少一個(gè)磁體被完全包封。
2.如權(quán)利要求1所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
提供多個(gè)磁體,所有磁體都被完全包封。
3.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述磁體被封殼(2、21)殼體和/或涂層包封。
4.如權(quán)利要求3所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述涂層對(duì)氫擴(kuò)散具有抵抗。
5.如權(quán)利要求3或權(quán)利要求4所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述涂層被形成為多層。
6.如權(quán)利要求3至5中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述涂層包括來自包括鎳、鋅和銅的組中的至少一個(gè)元素。
7.如權(quán)利要求3所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
由來自包括金屬、不銹鋼、鋁和鋁合金的組的至少一個(gè)組分形成所述封殼(2)。
8.如權(quán)利要求3所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
由來自包括半導(dǎo)體材料、硅、硅合金、氧化硅、鍺、鍺合金和氧化鍺的組的至少一個(gè)組分形成所述封殼(2)。
9.如權(quán)利要求3或權(quán)利要求7至8中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述封殼的壁具有若干nm至3mm之間的厚度。
10.如權(quán)利要求3或權(quán)利要求7所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述封殼的壁具有0.1mm至4mm之間的厚度。
11.如權(quán)利要求3或權(quán)利要求7至10中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述封殼在所述磁體之外還包括留置的氣體體積。
12.如權(quán)利要求3或權(quán)利要求7或10至11中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述封殼(2)被焊接,其中要被焊接的組件的鄰接表面被布置為使得所述鄰接表面在所述封殼的內(nèi)部和外部環(huán)境之間不構(gòu)成直接的連接,其中在所述鄰接表面布置焊縫并使要被焊接的組件接觸。
13.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述磁體(1、22)基于來自包括稀土、釹、鐠、鑭、鈰、稀土與鐵和硼的化合物、釹-鐵-硼(NdFeB)、鐠-鐵-硼(PrFeB)、鑭-鐵-硼(LaFeB)、鈰-鐵-硼(CeFeB)和釤-鈷(SmCo)的組的至少一個(gè)組分。
14.如權(quán)利要求1至4或8中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述磁體包含在從固態(tài)材料通過材料去除而形成的封殼中。
15.如權(quán)利要求1至4、8或14中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述磁體包含在通過根據(jù)微系統(tǒng)技術(shù)的材料圖案化技術(shù)而制造的封殼中。
16.如權(quán)利要求1至4、8或14至15中的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述封殼至少部分是單體組件,或者是與板形致動(dòng)器部件以材料連續(xù)性接合的組件,其中所述封殼被可移動(dòng)地安裝在所述致動(dòng)器部件中。
17.如權(quán)利要求16所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述致動(dòng)器部件(12)是用于所述磁體的安裝板,所述安裝板被布置在具有至少一個(gè)電線圈的線圈板上,從而流過所述線圈的電流可以改變所述磁體的位置,并且能夠致動(dòng)所述致動(dòng)器。
18.如權(quán)利要求16至權(quán)利要求17所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
通過至少一個(gè)彈簧條將具有封殼的所述磁體保持在板形致動(dòng)器部件(12)的凹形中,其中,所述彈簧條在沒有連接材料的情況下被單體地連接到或者以材料連續(xù)性接合到所述封殼以及所述板形致動(dòng)器部件的安裝板。
19.如前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述磁體是用于反射鏡或具有多個(gè)微反射鏡的微反射鏡陣列的微反射鏡的致動(dòng)器的一部分。
20.如前述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的投射曝光系統(tǒng),其特征在于:
所述投射曝光系統(tǒng)被配置為使得其使用極紫外頻譜中的光(EUVL)。
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