[發(fā)明專利]幅材基板沉積系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080015287.5
• 申請(qǐng)日: 2010-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102365712A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·斯費(fèi)爾拉佐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 維易科精密儀器國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 張濤

1.一種幅材基板原子層沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)包括：

a)至少一個(gè)輥，所述至少一個(gè)輥沿著第一方向?qū)⒎幕宓牡谝? 表面?zhèn)鬏斀?jīng)過(guò)處理室；和

b)多個(gè)處理室，所述多個(gè)處理室定位成使得所述至少一個(gè)輥沿 著所述第一方向?qū)⑺龇幕宓牡谝槐砻鎮(zhèn)鬏斀?jīng)過(guò)所述多個(gè)處理 室，所述多個(gè)處理室包括：第一前體反應(yīng)室，所述第一前體反應(yīng)室將 所述幅材基板的第一表面暴露于第一前體氣體的期望的分壓力下，由 此在所述幅材基板的第一表面上形成第一層；吹掃室，所述吹掃室利 用吹掃氣體吹掃所述幅材基板的第一表面；真空室，所述真空室從所 述幅材基板的第一表面去除氣體；和第二前體反應(yīng)室，所述第二前體 反應(yīng)室將所述幅材基板的第一表面暴露于第二前體氣體的期望的分壓 力下，由此在所述幅材基板的第一表面上形成第二層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)處理室是附 裝的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述吹掃室和所述真 空室包括單個(gè)室。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)處理室中的 每個(gè)處理室的一個(gè)端部附裝到氣體歧管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述氣體歧管聯(lián)接到 溫度控制器，所述溫度控制器控制所述多個(gè)處理室的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)輥沿著 第一方向和第二方向兩個(gè)方向?qū)⑺龇幕宓牡谝槐砻鎮(zhèn)鬏斀?jīng)過(guò)所 述多個(gè)處理室。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述第一前體反應(yīng)室 和所述第二前體反應(yīng)室中的至少一個(gè)聯(lián)接到前體氣體源和不起反應(yīng)的 氣體源。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述第一前體反應(yīng)室 和所述第二前體反應(yīng)室中的至少一個(gè)聯(lián)接到至少兩個(gè)前體氣體源。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括定位在 所述幅材基板附近的加熱器，在所述幅材基板傳輸經(jīng)過(guò)所述第一前體 反應(yīng)室和所述第二前體反應(yīng)室中的至少一個(gè)時(shí)，所述加熱器控制所述 幅材基板的溫度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括定位 在所述多個(gè)處理室附近的加熱器，所述加熱器控制所述多個(gè)處理室的 溫度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括聯(lián)接 到所述多個(gè)處理室的加熱器，所述加熱器控制所述多個(gè)處理室的溫度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括第二 組多個(gè)處理室，所述第二組多個(gè)處理室與所述多個(gè)處理室相對(duì)地定位， 并且定位成使得所述至少一個(gè)輥將所述幅材基板的第二表面?zhèn)鬏斀?jīng)過(guò) 所述第二組多個(gè)處理室。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述第二組多個(gè)處 理室包括：將所述幅材基板的第二表面暴露于第一前體氣體的期望的 分壓力下由此在所述幅材基板的第二表面上形成第一層的第一前體反 應(yīng)室；利用吹掃氣體吹掃所述幅材基板的第二表面的吹掃室；從所述 幅材基板的第二表面去除氣體的真空室；和將所述幅材基板的第二表 面暴露于第二前體氣體的期望的分壓力下由此在所述幅材基板的第二 表面上形成第二層的第二前體反應(yīng)室。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的沉積系統(tǒng)，其中，所述第二組多個(gè)處 理室與所述多個(gè)處理室相對(duì)地定位，并且與所述多個(gè)處理室對(duì)準(zhǔn)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積系統(tǒng)，所述沉積系統(tǒng)還包括第二 組多個(gè)處理室，所述第二組多個(gè)處理室定位在所述多個(gè)處理室附近， 以便使所述至少一個(gè)輥將所述幅材基板的第一表面?zhèn)鬏斀?jīng)過(guò)所述第二 組多個(gè)處理室。