[發明專利]光學構件及其制造方法有效
| 申請號: | 201080015163.7 | 申請日: | 2010-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN102378924A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發明(設計)人: | 橋口慎二;平野一孝;森彬 | 申請(專利權)人: | 斯泰拉化工公司 |
| 主分類號: | G02B1/11 | 分類號: | G02B1/11;G02B1/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 構件 及其 制造 方法 | ||
1.一種光學構件,其特征在于,使至少含有氟原子的處理氣體與由特定陶瓷形成的光學材料在對應于所述特定陶瓷的條件下接觸,由此在所述光學材料的表面的至少一部分區域設置能提高特定波長區域的光的透射率的氟化膜。
2.根據權利要求1所述的光學構件,其中,所述陶瓷是由金屬氧化物形成的氧化物系陶瓷。
3.根據權利要求1所述的光學構件,其中,所述陶瓷是由金屬氮化物或者金屬碳化物形成的非氧化物系陶瓷。
4.根據權利要求2所述的光學構件,其中,所述氧化物系陶瓷是選自MgO、Al2O3、TiO2、BeO、ZrO2、ZnO、Dy2O3、Ho2O3、Lu2O3、Sc2O3、Tm2O3、Yb2O3、Y2O3、SrTiO3、AlLaO3、Y3Al5O12、MgO·Al2O3、YVO4、BaTiO3、摻雜有Nd的Y3Al5O12、摻雜有Ce的LuYSiO5、Bi4Ge3O12、摻雜有Ce的Lu2SiO5、以及摻雜有Ce的Gd2SiO5中的至少任一種。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的光學構件,其中,使處理氣體與所述光學材料接觸時的處理溫度在160℃~700℃的范圍內,處理時間在1分鐘~5小時的范圍內。
6.一種光學構件的制造方法,其特征在于,使至少含有氟原子的處理氣體與由特定陶瓷形成的光學材料在對應于所述特定陶瓷的條件下接觸,由此在所述光學材料的表面的至少一部分區域形成能提高特定波長區域的光的透射率的氟化膜。
7.根據權利要求6所述的光學構件的制造方法,其中,作為所述陶瓷,使用由金屬氧化物形成的氧化物系陶瓷。
8.根據權利要求6所述的光學構件的制造方法,其中,作為所述陶瓷,使用由金屬氮化物或者金屬碳化物形成的非氧化物系陶瓷。
9.根據權利要求7所述的光學構件的制造方法,其中,作為所述氧化物系陶瓷,使用選自MgO、Al2O3、TiO2、BeO、ZrO2、ZnO、Dy2O3、Ho2O3、Lu2O3、Sc2O3、Tm2O3、Yb2O3、Y2O3、SrTiO3、AlLaO3、Y3Al5O12、MgO·Al2O3、YVO4、BaTiO3、摻雜有Nd的Y3Al5O12、摻雜有Ce的LuYSiO5、Bi4Ge3O12、摻雜有Ce的Lu2SiO5、以及摻雜有Ce的Gd2SiO5中的至少任一種。
10.根據權利要求6~9中任一項所述的光學構件的制造方法,其中,將使處理氣體與所述光學材料接觸時的處理溫度設為160℃~700℃的范圍內,將處理時間設為1分鐘~5小時的范圍內。
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