[發明專利]阻氣膜以及電子器件

有效

• 申請號: 201080014715.2
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN102365169A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: 星慎一;奧地茂人
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: B32B27/00
• 分類號: B32B27/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張平元

1.一種阻氣膜，其具有：基體材料、含有聚有機硅氧烷類化合物的層 以及無機物層，所述含有聚有機硅氧烷類化合物的層以及無機物層依次設置 在所述基體材料的至少一側表面上，其中，

所述無機物層是通過動態離子束混合法成膜的。

2.根據權利要求1所述的阻氣膜，其中，構成所述無機物層的無機化 合物為選自金屬單質、硅、石墨、無機氧化物、無機氮化物及無機氮氧化物 中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的阻氣膜，其中，所述無機化合物為選自氮化 硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、氧化銦及氧化銦錫中 的至少一種。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的阻氣膜，其中，所述動態離子束 混合法中使用的等離子體生成氣體為包含選自氦氣、氬氣、氖氣、氪氣及氙 氣中的至少一種的氣體。

5.根據權利要求4所述的阻氣膜，其中，所述動態離子束混合法中使 用的等離子體生成氣體為進一步含有選自氫氣、氧氣、氮氣及碳氟化合物中 的至少一種氣體的混合氣體。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的阻氣膜，其中，所述動態離子束 混合法在所述基體材料上以脈沖方式施加-50kV～-1kV的負的高電壓。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的阻氣膜，其中，所述含有聚有機 硅氧烷類化合物的層的厚度為0.01～100μm。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的阻氣膜，其中，所述含有聚有機 硅氧烷類化合物的層中的聚有機硅氧烷類化合物為聚二甲基硅氧烷。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的阻氣膜，其中，在所述基體材料 的與形成有所述含有聚有機硅氧烷類化合物的層的一側相反側的面上，設置 有含有含氟樹脂的層。

10.根據權利要求1～7中任一項所述的阻氣膜，其中，所述含有聚有 機硅氧烷類化合物的層中的聚有機硅氧烷類化合物的含量為50重量％以上。

11.根據權利要求1或2所述的阻氣膜，其中，所述無機物層的厚度為 10～1000nm。

12.一種電子器件，其具有權利要求1～9中任一項所述的阻氣膜。

13.根據權利要求12所述的電子器件，其中，所述電子器件為太陽能 電池組件。

14.根據權利要求13所述的電子器件，其中，所述阻氣膜用作背面保 護片。

15.根據權利要求12所述的電子器件，其中，所述電子器件為圖像顯 示元件。