[發(fā)明專利]試樣分析芯片、采用該試樣分析芯片的試樣分析裝置和試樣分析方法、以及試樣分析芯片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080014320.2
• 申請(qǐng)日: 2010-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN102369443A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小澤知之;西嶋奈緒;殷明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 凸版印刷株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G01N35/00
• 分類號(hào): G01N35/00;C12M1/00;C12Q1/68;G01N37/00
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 崔香丹;洪燕

1.一種試樣分析芯片，在基材上具有多個(gè)加樣孔、與各加樣孔連接的流路和向流路注入溶液的注入口，并通過旋轉(zhuǎn)該基材，將溶液分配給各個(gè)加樣孔，其特征在于，

所述流路具有用于向上述各加樣孔輸送液體的主流路，該主流路設(shè)置在比所述加樣孔更接近旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的位置，且在相鄰加樣孔之間具有相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心方向的一個(gè)山部。

2.如權(quán)利要求1所述的試樣分析芯片，其特征在于，在所述主流路的山部和山部之間的谷部，連接所述加樣孔和主流路。

3.如權(quán)利要求1或2所述的試樣分析芯片，其特征在于，相對(duì)而言，所述主流路的寬度在山部狹窄，在谷部寬。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述基材為圓盤狀，所述加樣孔配置成與所述基材呈同心圓狀。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的試樣分析芯片，其特征在于，具有連接所述主流路和加樣孔的側(cè)路。

6.如權(quán)利要求5所述的試樣分析芯片，其特征在于，相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心方向傾斜而形成所述側(cè)路。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的試樣分析芯片，其特征在于，相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心方向傾斜而形成所述主流路。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的試樣分析芯片，其特征在于，

具有用于連接所述主流路和加樣孔的側(cè)路，

且在所述側(cè)路上設(shè)置有用于收集剩余溶液的廢液部。

9.如權(quán)利要求8所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述廢液部包括用于收集廢液的廢液室以及對(duì)所述側(cè)路進(jìn)行分支且與所述廢液室相連接的廢液室分支流路。

10.如權(quán)利要求8所述的試樣分析芯片，其特征在于，

相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心方向傾斜而形成所述側(cè)路，

且相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心方向，所述廢液部設(shè)置在側(cè)路的內(nèi)側(cè)。

11.如權(quán)利要求9或10所述的試樣分析芯片，其特征在于，

與所述加樣孔連通的分支流路的送液時(shí)壓力損失小于與所述廢液室連通的分支流路的送液時(shí)壓力損失。。

12.如權(quán)利要求11所述的試樣分析芯片，其特征在于，與所述加樣孔連接的分支流路的截面積大于所述廢液室分支流路的截面積。

13.如權(quán)利要求11所述的試樣分析芯片，其特征在于，與所述加樣孔連接的分支流路的表面粗糙度小于廢液室分支流路的表面粗糙度。

14.如權(quán)利要求11所述的試樣分析芯片，其特征在于，對(duì)廢液室分支流路的流路內(nèi)表面進(jìn)行疏水處理。。

15.如權(quán)利要求11所述的試樣分析芯片，其特征在于，對(duì)與加樣孔連接的分支流路的流路內(nèi)表面進(jìn)行親水處理。

16.如權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述試樣分析芯片具有：形成有所述加樣孔和所述流路的第一基材；以及與該基材貼合的第二基材。

17.如權(quán)利要求16所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述基材中的任一者由光透過性材料形成。

18.如權(quán)利要求17所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述第一基材為光透過性樹脂材料，第二基材為金屬材料。

19.如權(quán)利要求17所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述第一基材由對(duì)可見光具有光透過性且對(duì)紅外線具有光吸收性的樹脂構(gòu)成，所述第二基材是至少透過波長(zhǎng)800nm以上的紅外線的板狀或膜狀。

20.如權(quán)利要求19所述的液體試樣分析用芯片，其特征在于，所述第一基材為聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂中的任意樹脂基材。

21.如權(quán)利要求19或20所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述第一基材含有在800nm以上的波長(zhǎng)區(qū)域具有吸收的紅外線吸收劑。

22.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的液體試樣分析用芯片，其特征在于，所述第二基材為聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂中的任意樹脂基材。

23.如權(quán)利要求1～23中任一項(xiàng)所述的試樣分析芯片，其特征在于，所述第二基材的厚度為0.05～0.5mm。