[發明專利]金屬硅化物膜的形成方法

無效

• 申請號: 201080014285.4
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN102365715A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: 鈴木干夫;西森崇;湯淺秀樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;C23C16/42;H01L21/285
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;苗堃

1.一種金屬硅化物膜的形成方法，具有：

準備在表面具有硅部分的基板，

通過使用含氮金屬化合物作為成膜原料的CVD而在所述基板的所 述硅部分的表面形成由構成所述金屬化合物的金屬形成的金屬膜，及

其后，對所述基板在氫氣氛下實施退火，通過所述金屬膜與所述硅 部分的反應而形成金屬硅化物。

2.如權利要求1所述的金屬硅化物膜的形成方法，其中，構成所 述成膜原料的含氮金屬化合物為金屬脒化物。

3.如權利要求1所述的金屬硅化物膜的形成方法，其中，所述金 屬為鎳。

4.如權利要求3所述的金屬硅化物膜的形成方法，其中，構成所 述成膜原料的含氮鎳化合物為鎳脒化物。

5.如權利要求3所述的金屬硅化物膜的形成方法，其中，所述Ni 膜的成膜是在基板溫度為120～280℃的范圍下進行的。

6.如權利要求3所述的金屬硅化物膜的形成方法，其中，所述氫 氣氛下的退火是在基板溫度為450～550℃的范圍進行的。

7.如權利要求3所述的金屬硅化物膜的形成方法，其中，不破壞 真空地在原位進行所述Ni膜的成膜和所述氫氣氛下的退火。

8.如權利要求1所述的金屬硅化物膜的形成方法，其中，所述基 板的硅部分為硅基板或多晶硅膜。

9.一種存儲介質，存儲有在計算機上運行的、用于控制硅化物膜 形成裝置的程序，其中，所述程序在執行時使計算機控制所述硅化物膜 的形成裝置以進行如下的金屬硅化物膜的形成方法，所述金屬硅化物膜 的形成方法具有：準備在表面具有硅部分的基板；通過使用含氮金屬化 合物作為成膜原料的CVD在所述基板的所述硅部分的表面形成由構成 所述金屬化合物的金屬形成的金屬膜；及其后，對所述基板在氫氣氛下 實施退火，通過所述金屬膜與所述硅部分的反應而形成金屬硅化物。