[發明專利]氣體屏蔽膜、包含它的電子器件、氣體屏蔽袋、以及氣體屏蔽膜的制造方法

有效

• 申請號: 201080014250.0
• 申請日: 2010-03-23
• 公開（公告）號: CN102365387A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: 中山弘
• 申請（專利權）人: 株式會社材料設計工場;愛沃特株式會社
• 主分類號: C23C16/42
• 分類號: C23C16/42;B32B9/00;B65D65/40;H01L31/042;H01L51/50;H05B33/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種氣體屏蔽膜，其特征在于，具有與塑料薄膜(1)的兩個主面 分別接觸的氣體屏蔽層(2)，

所述氣體屏蔽層是利用Cat-CVD堆積的SiCNFH層、SiOCNH層以 及SiCNH層中的任意一種，

所述SiCNFH層滿足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.05、0.00＜I(CH)/I (SiN)＜0.07、0.04＜I(NH)/I(SiN)＜0.08、以及0.05＜I(CF)/I(SiN) ＜0.3的條件，

所述SiOCNH層滿足0.1＜I(SiH)/I(NH)＜0.9、0.0＜I(CH)/I(NH) ＜0.3、8＜I(SiN)/I(NH)＜20、以及2＜I(SiO₂)/I(NH)＜8的條件，

此外，所述SiCNH層滿足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.05、0.00＜I(CH) /I(SiN)＜0.07、以及0.04＜I(NH)/I(SiN)＜0.08的條件，

這里，I表示有關附記在其后的括號內的原子鍵的傅立葉變換紅外分 光光譜的峰強度。

2.根據權利要求1所述的氣體屏蔽膜，其特征在于，所述SiCNFH 層滿足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.03、0.00＜I(CH)/I(SiN)＜0.02、0.05＜I (NH)/I(SiN)＜0.08、以及0.05＜I(CF)/I(SiN)＜0.25的條件，

所述SiOCNH層滿足0.1＜I(SiH)/I(NH)＜0.5、0.0＜I(CH)/I(NH) ＜0.2、10＜I(SiN)/I(NH)＜20、以及2＜I(SiO₂)/I(NH)＜5的條件，

此外，所述SiCNH層滿足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.03、0.00＜I(CH) /I(SiN)＜0.02、以及0.05＜I(NH)/I(SiN)＜0.08的條件。

3.根據權利要求1所述的氣體屏蔽膜，其特征在于，在與所述塑料 薄膜接觸的氣體屏蔽層上層疊有所述SiCNFH層、所述SiOCNH層、以 及所述SiCNH層中的任意一種附加的氣體屏蔽層，與所述塑料薄膜接觸 的氣體屏蔽層與所述附加的氣體屏蔽層是彼此不同種類的層。

4.根據權利要求1所述的氣體屏蔽膜，其特征在于，所述塑料薄膜 是具有120℃以上的玻璃化溫度或200℃以上的熔點、或者200℃以上的 液晶化溫度的耐熱性的塑料薄膜。

5.根據權利要求1所述的氣體屏蔽膜，其特征在于，所述塑料薄膜 被進行了表面平坦化處理。

6.根據權利要求1所述的氣體屏蔽膜，其特征在于，在所述氣體屏 蔽膜的至少一個面上還附加地包含導電層。

7.一種電子器件，其特征在于，作為保護層包含權利要求1所述的 氣體屏蔽膜。

8.根據權利要求7所述的電子器件，其特征在于，所述電子器件是 觸摸面板、有機EL器件、無機EL器件、太陽能電池以及電子紙的任意 一種。

9.一種氣體屏蔽袋，其特征在于，以權利要求1所述的氣體屏蔽膜 形成。

10.一種氣體屏蔽膜的制造方法，是制造權利要求1所述的氣體屏蔽 膜的方法，其特征在于，使用選自有機硅烷化合物、有機氨基硅化合物、 氨、氟碳、氧以及氫中的原材料，利用Cat-CVD形成所述氣體屏蔽層。