[發明專利]用于提供半導體存儲器裝置的技術

有效

• 申請號: 201080014243.0
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN102365628A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發明（設計）人: 邁克爾·A·范巴斯柯克;克里斯蒂安·卡亞;維克托·I·科爾迪亞維;正泰·權;皮埃爾·C·法贊
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F13/00
• 分類號: G06F13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種半導體存儲器裝置，其包括：

多個存儲器單元，其布置成行與列的陣列，每一存儲器單元具有：

第一區，其連接到在第一定向上延伸的源極線；

第二區，其連接到在第二定向上延伸的位線；

主體區，其與字線間隔開且電容性耦合到所述字線，其中所述主體區為電浮動 的且安置在所述第一區與所述第二區之間；

第一勢壘壁，其在所述陣列的所述第一定向上延伸；及

第二勢壘壁，其在所述陣列的所述第二定向上延伸且與所述第一勢壘壁相交以形成 經配置以容納所述多個存儲器單元中的每一者的溝槽區。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一區及所述第二區為N 摻雜區。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中所述主體區為P摻雜區。

4.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中所述主體區為未經摻雜區。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一勢壘壁及所述第二勢 壘壁由絕緣氧化物材料形成。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一勢壘壁及所述第二勢 壘壁形成于P型襯底上。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線沿所述主體區的一側 而安置。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線的高度類似于所述主 體區的高度。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線鄰近于所述主體區的 一側及所述第一區的至少一部分的一側而安置。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線沿所述主體區的一側 及所述第二區的至少一部分的一側而安置。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線沿所述主體區的一側、 所述第一區的一側的至少一部分及所述第二區的一側的至少一部分而安置。

12.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線的高度短于所述主體 區的高度。

13.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線具有矩形橫截面形狀。

14.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線具有U形橫截面形狀。

15.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線具有L形橫截面形狀。

16.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線電容性耦合到多個所 述主體區。

17.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線耦合到恒定電壓電位。

18.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述字線耦合到接地電壓電位。

19.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述存儲器單元陣列包括分離 所述存儲器單元的鄰近行的虛擬存儲器單元行。

20.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述源極線在配置于所述第一 區下面的平面中的所述第一定向上延伸。

21.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述位線在配置于所述第二區 上面的平面中的所述第二定向上延伸。

22.根據權利要求19所述的半導體存儲器裝置，其中所述位線經由位線接觸件連 接到所述第二區。