[發明專利]背面入射型固體攝像元件有效
| 申請號: | 201080014112.2 | 申請日: | 2010-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN102365741A | 公開(公告)日: | 2012-02-29 |
| 發明(設計)人: | 鈴木久則;米田康人;宮崎康人;村松雅治;山本晃永 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面 入射 固體 攝像 元件 | ||
1.一種背面入射型固體攝像元件,其特征在于,
具備:
在背面側具有光入射面的半導體基板;以及
設置于所述半導體基板的與所述光入射面為相反側的光檢測面的 電荷傳送電極,
所述光檢測面具有凹凸面。
2.如權利要求1所述的背面入射型固體攝像元件,其特征在于,
所述凹凸面僅形成于所述光檢測面。
3.如權利要求1所述的背面入射型固體攝像元件,其特征在于,
所述凹凸面內的各凹凸的圖案,在所述背面入射型固體攝像元件 的各像素內相同。
4.如權利要求1所述的背面入射型固體攝像元件,其特征在于,
在將所述凹凸面的凹部的最深部與凸部的頂點或頂面之間的、沿 所述半導體基板的厚度方向的距離設為D1時,距離D1為0.06~1μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





