[發明專利]測量單晶的缺陷密度的方法

無效

• 申請號: 201080012974.1
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN102362171A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 新谷良智;北川克一
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01N21/896
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種測量產生于單晶中的各種類型缺陷的多個缺陷的密度的方法，其特征在于包括：

蝕刻作為所述單晶的表面的觀察表面，以在各缺陷處形成蝕刻凹陷；

計算在所述觀察表面上預定區域內存在的多個缺陷處形成的各蝕刻凹陷的最大深度、平均深度和深度曲率；和

將所測量的最大深度、平均深度和深度曲率與各自的參考值進行比較，以確定所述預定區域內的各缺陷的類型。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

計算所述預定區域內各所述蝕刻凹陷的平面形狀的重心位置；和

計算在所述預定區域內形成的各所述蝕刻凹陷的最大深度位置，其中

所述預定區域內各缺陷的類型基于所測量的最大深度位置相對于所計算的各蝕刻凹陷的平面形狀的重心位置的朝向來確定。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中各蝕刻凹陷的平面形狀的重心位置為由所述觀察表面上蝕刻凹陷的輪廓計算的幾何重心。

4.根據權利要求1或2所述的方法，還包括：對垂直于所述預定區域內各蝕刻凹陷深度方向的橫截面進行二值化處理，以識別所述蝕刻凹陷。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，當獨立于所述預定區域內蝕刻凹陷的橫截面的外周輪廓的輪廓存在于所述蝕刻凹陷的外周輪廓內時，該蝕刻凹陷被識別為兩個蝕刻凹陷。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述最大深度、平均深度和深度曲率是通過光學干涉測量的。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的方法，其中各蝕刻凹陷的深度曲率為垂直于所述觀察表面的橫截面的曲率。

8.根據權利要求7所述的方法，其中各蝕刻凹陷的深度曲率為與所述橫截面近似的二次曲線的曲率。

9.一種繪制觀察表面內各種類型缺陷的缺陷密度分布的方法，其特征在于包括：在多個所述預定區域上實施根據權利要求1～8中任一項所述的方法。