[發(fā)明專利]通過電滲析制備包含沉淀二氧化硅的高純度懸浮體

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080011511.3
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN102348493A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設計）人: P·施滕納;F·瓊克;J·貝尼施;M·魯夫;M·丹內爾;S·祖爾
• 申請（專利權）人: 贏創(chuàng)德固賽有限公司
• 主分類號: B01D61/46
• 分類號: B01D61/46;C01B33/141;C01B33/193;D21H19/40
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 于輝

1.制備鹽含量低并且包含至少一種沉淀二氧化硅的懸浮體的方法，其包括以下步驟：

a)提供包含至少一種沉淀二氧化硅的懸浮體，

b)若來自步驟a)的懸浮體的pH不在0.5-5的范圍中，將所述懸浮體的pH調至此范圍中的值，

c)利用電滲析純化所述懸浮體，其中

i.電滲析儀包含一個或多個電滲析槽，對其進行設置，從而在每種情況中用陽離子交換膜隔開產物區(qū)與陰極電解液區(qū)，并且電極間距為2mm-200mm，

ii.施加5-1000伏特的電勢。

2.權利要求1所述的方法，其特征在于步驟a)中的懸浮體是通過堿金屬硅酸鹽和/或堿土金屬硅酸鹽與至少一種酸化劑反應而直接獲得的沉淀懸浮體、或是通過濾餅的液化而獲得的懸浮體、或是通過濾餅的洗滌和液化而獲得的懸浮體。

3.權利要求1所述的方法，其特征在于所述懸浮體通過將粉狀、粒狀或微粒狀的沉淀二氧化硅懸浮于分散介質中，特別優(yōu)選在剪切力作用下而獲得，所述分散介質優(yōu)選為水和/或蒸餾水和/或去離子水和/或酸化劑。

4.權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于以如下方式進行所述電滲析：在環(huán)路系統(tǒng)中將陽極電解液、陰極電解液和所述懸浮體泵送通過所述電滲析槽，并且陽極電解液和陰極電解液優(yōu)選地相對于所述沉淀二氧化硅懸浮體逆流地傳送。

5.權利要求4所述的方法，其特征在于以在所述產物區(qū)和/或陽極電解液區(qū)和/或陰極電解液區(qū)中形成湍流的方式實施所述方法。

6.權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于所述陽極電解液區(qū)中的壓力小于或等于所述產物區(qū)中的壓力。

7.權利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于在每種情況中用陰離子交換膜和/或隔膜隔開所述產物區(qū)與所述陽極電解液區(qū)。

8.權利要求7所述的方法，其特征在于所述隔膜的孔尺寸為5nm-10μm。

9.權利要求1-8中任一項所述的方法，其特征在于，在所述電滲析期間所述懸浮體的pH保持恒定，以至pH波動不大于電滲析開始時的pH±0.3，和/或pH在電滲析結束時比電滲析開始時的初始值低不大于25％。

10.權利要求1-9中任一項所述的方法，其特征在于鉛、石墨或不銹鋼的電極用作陰極，并且鉑電極、鍍鉑金屬電極、金剛石或DSA用作陽極。

11.權利要求1-10中任一項所述的方法，其特征在于在步驟a)之前、和/或在步驟a)與b)之間、和/或在步驟b)與c)之間、和/或在步驟c)之后，進行至少一步研磨步驟。

12.權利要求1-11中任一項所述的方法，其特征在于控制所述方法，從而在該方法結束時所述懸浮體中的沉淀二氧化硅顆粒的平均粒徑d₅₀為100nm-10μm。

13.權利要求1-12中任一項所述的方法，其特征在于所述方法包括使所述沉淀二氧化硅顆粒與表面改性劑接觸的步驟。

14.包含至少一種沉淀二氧化硅的懸浮體，其特征在于其硫酸鈉含量小于或等于1000ppm。

15.懸浮體，其特征在于，基于干燥的沉淀二氧化硅，所述懸浮體的含硫化合物的含量小于0.02[％g/g]。

16.權利要求14或15所述的懸浮體，其特征在于，通過ICP-MS測定，所述懸浮體的鈣、鐵和鎂的總含量小于400ppm.

17.權利要求14-16中的任一項所述的包含至少一種沉淀二氧化硅的懸浮體，其特征在于所述沉淀二氧化硅顆粒的平均粒徑d₅₀為100nm-10μm。

18.權利要求14-17中的任一項所述的包含至少一種沉淀二氧化硅的懸浮體，其特征在于所述沉淀二氧化硅顆粒的至少部分表面已用表面改性劑涂布。

19.沉淀二氧化硅的懸浮體，其通過權利要求1-13中任一項所述的方法獲得。

20.權利要求14-19中的任一項所述的包含至少一種沉淀二氧化硅的懸浮體的用途，其用于制備噴墨記錄介質的紙涂層，和/或用于化學機械拋光領域，或者用于制備干燥的沉淀二氧化硅。