[發(fā)明專利]磁性隧道結(jié)裝置及制造

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080009085.X
• 申請(qǐng)日: 2010-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN102334207A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李康浩;朱曉春;李霞;升·H·康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L43/08
• 分類號(hào): H01L43/08;H01L43/12;H01F10/32
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

1.一種設(shè)備，其包含：

磁性隧穿結(jié)裝置，其包含：

勢(shì)壘層；

自由層；及

封蓋層，其中所述自由層經(jīng)定位于所述勢(shì)壘層與所述封蓋層之間，且其中所述封蓋層包括第一金屬部分及氧化金屬部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述金屬部分包括鎂，且其中所述氧化金屬部分包括氧化鎂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一金屬部分的第一側(cè)與所述自由層接觸，且其中所述第一金屬部分的第二側(cè)與所述氧化金屬部分接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含經(jīng)釘扎層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其集成到至少一個(gè)半導(dǎo)體裸片中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含存儲(chǔ)器陣列，所述存儲(chǔ)器陣列包括所述磁性隧穿結(jié)裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含裝置，所述裝置選自由下列各者組成的群組：機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元及計(jì)算機(jī)，所述存儲(chǔ)器陣列集成在所述裝置中。

8.一種設(shè)備，其包含：

磁性隧穿結(jié)裝置，其包含：

自由層；

勢(shì)壘層，其鄰近于所述自由層；及

封蓋層，其鄰近于所述自由層，其中所述封蓋層包括第一材料的第一層，及第二材料的第二層，及緩沖層，其中所述第二材料包括所述第一材料的氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述第二材料是通過(guò)氧化所述第一材料的一部分而形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述第一材料主要為鎂，且其中所述第二材料主要為氧化鎂。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述第一層定位于距所述自由層的第一距離處，且所述第二層定位于距所述自由層的第二距離處，所述第二距離大于所述第一距離。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述緩沖層包括大體上非磁性金屬材料的層。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述勢(shì)壘層鄰近于所述自由層的第一側(cè)，且其中所述封蓋層鄰近于所述自由層的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其集成到至少一個(gè)半導(dǎo)體裸片中。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含存儲(chǔ)器陣列，所述存儲(chǔ)器陣列包括所述磁性隧穿結(jié)裝置。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含裝置，所述裝置選自由下列各者組成的群組：機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元及計(jì)算機(jī)，所述存儲(chǔ)器陣列集成在所述裝置中。

17.一種設(shè)備，其包含：

用于存儲(chǔ)作為磁矩的定向的數(shù)據(jù)值的裝置，所述磁矩可通過(guò)超過(guò)閾值電流密度的自旋極化電流來(lái)編程；

隧穿勢(shì)壘裝置，其用于通過(guò)使傳導(dǎo)電子通過(guò)勢(shì)壘的量子力學(xué)隧穿而將所述傳導(dǎo)電子提供到所述用于存儲(chǔ)的裝置；及

封蓋裝置，其用于減小自旋泵效應(yīng)，其中所述封蓋裝置包括第一金屬部分及氧化金屬部分，且其中所述用于存儲(chǔ)的裝置定位于所述隧穿勢(shì)壘裝置與所述封蓋裝置之間。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其集成到至少一個(gè)半導(dǎo)體裸片中。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含存儲(chǔ)器陣列，所述存儲(chǔ)器陣列包括所述用于存儲(chǔ)的裝置、所述隧穿勢(shì)壘裝置及所述封蓋裝置。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含裝置，所述裝置選自由下列各者組成的群組：機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元及計(jì)算機(jī)，所述存儲(chǔ)器陣列集成在所述裝置中。

21.一種方法，其包含：

在磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)的自由層上沉積封蓋材料，以形成封蓋層；及

氧化所述封蓋材料的一部分以形成氧化材料層。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述封蓋材料包括鎂。