[發明專利]氧化硅玻璃坩堝及其制造方法

有效

• 申請號: 201080008271.1
• 申請日: 2010-12-14
• 公開（公告）號: CN102762781A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 須藤俊明;岸弘史;鈴木江梨子
• 申請（專利權）人: 日本超精石英株式會社
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C03B20/00;C30B15/10
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，具有周壁部、彎曲部以及底部，其特征在于：上述周壁部內面的特定區域上設置有多個微小凹部。

2.如權利要求1所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：設上述氧化硅玻璃坩堝的高度為H時，上述特定區域位于從上述底部測量高度為0.50H～0.99H的區域內。

3.如權利要求1所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：在上述特定區域中，在上述氧化硅玻璃坩堝的高度方向上的每一個以0.1mm～5.0mm范圍內的間隔劃分的圓環狀內面部位上，具有至少1個上述微小凹部。

4.如權利要求1所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：上述微小凹部的平均直徑是1μm～500μm。

5.如權利要求1所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：上述微小凹部的平均深度是上述周壁部的坩堝厚度的0.05％～50％。

6.如權利要求1所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：上述微小凹部的平均直徑與上述微小凹部的平均深度之比小于0.8。

7.如權利要求1所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：至少上述特定區域被結晶化。

8.如權利要求7所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：上述結晶化是通過至少在上述特定區域內涂布結晶促進劑的方式進行的。

9.如權利要求8所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝，其特征在于：上述結晶促進劑是鋇粉末。

10.一種單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其中，該單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝具有周壁部、彎曲部及底部，并且，其形成為以天然氧化硅玻璃層為外層以及以合成氧化硅玻璃層為內層的兩層結構，該方法的特征在于包括：

形成由天然氧化硅粉構成的外層的工序；

在上述外層的內面上形成由合成氧化硅粉構成的內層的工序；

從上述內層的內面側產生電弧放電來熔化上述氧化硅粉末，并形成具有周壁部、彎曲部及底部的氧化硅玻璃坩堝的工序；以及

在該氧化硅玻璃坩堝的形成工序之后，在特定區域形成多個微小凹部的工序。

11.如權利要求10所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：上述微小凹部形成工序包括使用二氧化碳激光或金剛石工具等的物理磨削來形成微小凹部的工序。

12.如權利要求10所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于進一步包括：除去或解除在上述微小凹部形成工序中被導入的加工變形的工序。

13.如權利要求12所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：上述除去或解除加工變形的工序包括對上述氧化硅玻璃坩堝進行熱處理的工序。

14.如權利要求13所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：上述熱處理工序包括在1200～1400℃的范圍內對上述氧化硅玻璃坩堝進行加熱的工序。

15.如權利要求12所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于包括：上述除去或解除加工變形的工序包括對上述氧化硅玻璃坩堝進行酸處理的工序。

16.如權利要求15所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：上述酸處理工序包括將上述氧化硅玻璃坩堝多次浸漬于規定的氟化氫酸水溶液中的工序。

17.如權利要求10所述的單晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于進一步包括：對于上述特定區域導入結晶促進劑的工序。