[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201080008205.4
• 申請日: 2010-02-12
• 公開（公告）號: CN102318072A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 添野明高
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;孫麗梅

1.一種半導體器件，包括：

IGBT元件區；

二極管元件區；以及

第一電流檢測區，其配置為至少能夠檢測流過所述IGBT元件區的IGBT電流，

其中，所述IGBT元件區、所述二極管元件區和所述第一電流檢測區形成在同一個半導體襯底中，

第二導電型集電極區、第一導電型漂移區和第二導電型主體區依次層疊在所述IGBT元件區中，

第二導電型集電極區、第一導電型漂移區和第二導電型主體區依次層疊在所述第一電流檢測區的至少一部分中，

第一導電型陰極區、第一導電型漂移區和第二導電型主體區依次層疊在所述二極管元件區中，

所述第一電流檢測區與所述IGBT元件區相鄰布置，并且

所述IGBT元件區的所述集電極區延伸以與所述第一電流檢測區的所述集電極區連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述IGBT元件區的所述集電極區和所述二極管元件區的所述陰極區之間的界線不存在于所述IGBT元件區和所述第一電流檢測區之間。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中

所述第二導電型集電極區、所述第一導電型漂移區和所述第二導電型主體區依次層疊在整個的所述第一電流檢測區上。

4.根據權利要求1-3所述的半導體器件，其中

所述IGBT元件區的所述集電極區和所述第一電流檢測區的所述集電極區一體地形成為一層。

5.根據權利要求1-4所述的半導體器件，其中

所述第一電流檢測區由不活躍區圍繞。

6.根據權利要求1-5所述的半導體器件，進一步包括：

第二電流檢測區，其形成在所述同一個半導體襯底中并且配置為能夠檢測流過所述二極管元件區的二極管電流，

其中，第一導電型陰極區、第一導電型漂移區和第二導電型主體區依次層疊在所述第二電流檢測區中，

所述第二電流檢測區與所述二極管元件區相鄰布置，并且

所述二極管元件區的所述陰極區延伸以與所述第二電流檢測區的所述陰極區連接。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中

所述IGBT元件區的所述集電極區和所述二極管元件區的所述陰極區之間的界線不存在于所述二極管元件區和所述第二電流檢測區之間。

8.根據權利要求6或7所述的半導體器件，其中

所述二極管元件區的所述陰極區和所述第二電流檢測區的所述陰極區一體地形成為一層。

9.根據權利要求6-8所述的半導體器件，其中

所述第二電流檢測區與所述第一電流檢測區相鄰布置。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，進一步包括：

不活躍區，其形成在所述第一電流檢測區和所述第二電流檢測區之間。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中

所述第一電流檢測區的所述集電極區和所述第二電流檢測區的所述陰極區分別延伸至所述不活躍區。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第一電流檢測區進一步配置為能夠檢測流過所述二極管元件區的二極管電流，

第一導電型陰極區、第一導電型漂移區和第二導電型主體區依次層疊在所述第一電流檢測區的不形成集電極區的一部分中，

所述第一電流檢測區與所述二極管元件區相鄰布置，并且

所述二極管元件區的所述陰極區延伸以與所述第一電流檢測區的所述陰極區連接。

13.一種半導體器件，包括：

IGBT元件區；

二極管元件區；以及

二極管電流檢測區，其配置為能夠檢測流過所述二極管元件區的二極管電流，

其中，所述IGBT元件區、所述二極管元件區和所述二極管電流檢測區形成在同一個半導體襯底中，

第二導電型集電極區、第一導電型漂移區和第二導電型主體區依次層疊在所述IGBT元件區中，

第一導電型陰極區、第一導電型漂移區和第二導電型主體區依次層疊在所述二極管元件區和所述二極管電流檢測區中，

所述二極管電流檢測區與所述二極管元件區相鄰布置，并且

所述二極管元件區的所述陰極區延伸以與所述二極管電流檢測區的所述陰極區連接。