[發明專利]大膛孔PET/MR系統

有效

• 申請號: 201080007939.0
• 申請日: 2010-01-12
• 公開（公告）號: CN102317806A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: T·佐爾夫;V·舒爾茨
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: G01R33/48
• 分類號: G01R33/48;G01T1/16;A61B5/055;G01T1/29
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 黃云鐸;陳松濤

1.一種組合MR和核成像單元，包括：

導電中空共振器元件(18)；

安裝在所述共振器元件內的核檢測器模塊(24)；以及

鄰近所述共振器元件的RF屏障(22)。

2.一種組合MR和核成像系統，包括：

主磁體(12)；

在其中限定了環形凹槽(20)的梯度線圈(16)；以及

放置在所述梯度線圈之間的所述環形凹槽(20)中的多個根據權利要求1所述的組合MR和核成像單元。

3.根據權利要求2所述的組合MR和核成像系統，其中：

每個所述共振器元件(18)具有面向檢查區域(14)的輻射半透明的內表面(26)；以及

放置成面向所述RF屏障并且與所述RF屏障隔開的多個其它表面(28)。

4.根據權利要求2所述的組合MR和核成像系統元件，其中，通過配置為對所述共振器元件的工作頻率進行調諧的電容器(70)將每個共振器元件(18)電耦合到所述RF屏障(22)。

5.根據權利要求3所述的組合MR和核成像系統，其中：

將所述共振器元件(18)的表面(26、28)配置為屏蔽所述核檢測器模塊(22)免受RF干擾。

6.根據權利要求5所述的組合MR和核成像系統，所述核檢測器模塊包括：

閃爍晶體的陣列(32)；

光耦合到所述閃爍晶體的陣列(32)的多個硅光電倍增管傳感器板片(36)；

電耦合到硅光電倍增管傳感器板片的多個ASIC(38)。

7.根據權利要求3所述的組合MR和核成像系統，其中，配置所述共振器元件(18)使得電流主要流經所述內表面(26)。

8.根據權利要求3所述的組合MR和核成像系統，射頻陷波器(80)電連接到所述其它表面(28)之一。

9.根據權利要求2所述的組合MR和核成像系統，其中：

所述共振器元件(18)電連接到射頻發射機(44)和射頻接收機(46)中的至少一個；

所述核檢測器模塊(24)是PET檢測器模塊，其包括時間戳電路(54)和符合檢測單元(56)。

10.根據權利要求9所述的組合MR和核成像系統，還包括：

MR共振處理器(50)，其對來自所述共振器元件(18)的數據進行處理，以產生磁共振圖像表示；以及

PET重建處理器(60)，其對來自所述PET檢測器模塊(28)的數據進行處理，以產生PET成像表示。

11.根據權利要求10所述的組合MR和核成像系統，還包括：

融合處理器(62)，其對所述MR和PET圖像表示進行組合；以及

用戶界面(64)，其包括顯示所述MR、PET或者組合MR/PET圖像表示的顯示器。

12.一種制作組合MR和核成像單元的方法，包括：

制造核檢測器模塊(24)；

圍繞所述核檢測器模塊放置中空共振器元件(18)，所述共振器元件(18)具有屏蔽所述核檢測器模塊(24)免受RF輻射的表面(26、28)，所述表面中的一個(26)對γ輻射半透明。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：

將RF屏蔽安裝在環形凹槽(20)中，所述環形凹槽(20)被限定在磁共振系統的梯度線圈(16)中；

將多個所述組合MR和核成像單元安裝在與所述RF屏障(22)隔開的所述環形凹槽(20)中；并且

將所述共振器元件(18)電容性耦合到所述RF屏障(22)。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括：

將RF陷波器(80)與所述表面中的一個(28)連接，以便使RF電流優先在所述射電半透明表面(26)上流動。

15.根據權利要求13所述的方法，還包括：

同時地進行利用所述核檢測器單元(24)接收通過所述射電半透明表面(26)的γ輻射和下列中的至少一個：將MR激勵信號發送到所述共振器元件(18)和從所述共振器元件(18)接收共振信號；以及

從所接收的γ輻射重建核成像表示，并且從所接收的共振信號重建MR圖像表示。