[發(fā)明專利]具有改進(jìn)的彎曲損耗特性的光纖及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080007303.6
• 申請(qǐng)日: 2010-02-11
• 公開（公告）號(hào): CN102317826A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸志祥;樸來赫;孫淳一;申亨洙;陸泰坰;皮仲鎬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LS電線有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/036
• 分類號(hào): G02B6/036;G02B6/028
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;呂俊剛

1.一種制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，所述方法包括：

(a)通過沉積形成芯和第一包層；

(b)制備包含不超過預(yù)定級(jí)別的羥基OH^-雜質(zhì)的管，并且通過外覆層工藝將所述管圍繞所述第一包層接合以形成第二包層；以及

(c)圍繞所述第二包層形成第三包層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，

其中，在所述步驟(b)中，所制備的管具有預(yù)定的折射率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，

其中，所述管具有基于所述第三包層的折射率的-0.1％到-1.0％的分?jǐn)?shù)折射率變化D，

其中，所述管的分?jǐn)?shù)折射率變化D等于(N3-N4)/N4，其中N3是所述第二包層的折射率并且N4是所述第三包層的折射率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，

其中，在所述步驟(b)中，所制備的管包含10ppm或更少的羥基OH^-雜質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，

其中，在所述步驟(a)中，所述芯和所述第一包層通過沉積形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，其中，所述步驟(a)包括：

(a-1)通過煙灰工藝形成芯和第一包層；

(a-2)通過脫水工藝從所述芯和所述第一包層去除羥基雜質(zhì)；

(a-3)通過燒結(jié)工藝對(duì)所述芯和所述第一包層進(jìn)行燒結(jié)以制作多孔預(yù)制件；以及

(a-4)通過延長(zhǎng)工藝延長(zhǎng)所述多孔預(yù)制件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，其中，所述步驟(b)包括：

(b-1)制備包含不超過預(yù)定級(jí)別的羥基OH^-雜質(zhì)的外包管；

(b-2)將具有所述芯和所述第一包層的第一階段預(yù)制件插入到所述外包管中；以及

(b-3)通過對(duì)所述外包管加熱來熔化所述外包管，以將所述外包管接合到所述第一階段預(yù)制件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造具有優(yōu)異的彎曲損耗特性的溝道型光纖的方法，

其中，在所述步驟(c)中，通過外部沉積或者外覆層工藝圍繞所述第二包層形成所述第三包層。

9.一種具有改進(jìn)的彎曲損耗特性的光纖，該光纖是根據(jù)權(quán)利要求1到8中的任意一項(xiàng)所述的方法制造的。

10.一種具有改進(jìn)的彎曲損耗特性的光纖，該光纖包括：位于該光纖的中心的芯、圍繞所述芯形成的第一包層、圍繞所述第一包層形成的第二包層、和圍繞所述第二包層形成的第三包層，

其中，所述芯具有大于所述第一包層、所述第二包層和所述第三包層的最大折射率中的任意一個(gè)的最大折射率，并且所述第二包層的最大折射率小于所述第一包層和所述第三包層的最大折射率中的任意一個(gè)，并且

其中，所述第二包層包含10ppm或更少的羥基OH^-雜質(zhì)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有改進(jìn)的彎曲損耗特性的光纖，

其中，所述第二包層是通過將先前制備的管通過外覆層工藝接合到第一包層而形成的。