[發(fā)明專利]光學(xué)成像設(shè)備及制造該光學(xué)成像設(shè)備的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080006564.6 | 申請日: | 2010-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN102356463A | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 摩西·克里曼;威廉·哈德森·韋爾奇;賈爾斯·漢普斯通;奧舍·阿夫斯安;費利克斯·哈扎諾維奇;葉卡捷琳娜·阿克塞爾羅德 | 申請(專利權(quán))人: | 數(shù)字光學(xué)(東部)公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 陸弋;王偉 |
| 地址: | 美國北卡*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 成像 設(shè)備 制造 方法 | ||
1.一種光學(xué)成像設(shè)備,包括:
第一光學(xué)組件,所述第一光學(xué)組件包括輻射透射襯底和隔離物,
所述輻射透射襯底包括至少一個光學(xué)表面;以及,
傳感器組件,所述傳感器組件包括隔離物和至少一個感測元件,其中,所述第一光學(xué)組件的隔離物聯(lián)接到所述傳感器組件的隔離物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述輻射透射襯底包括多個光學(xué)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述第一光學(xué)組件的隔離物是光學(xué)組件隔離物晶片的單分部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述傳感器組件的隔離物是傳感器組件隔離物晶片的單分部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述第一光學(xué)組件的隔離物包括凹陷,包括所述至少一個光學(xué)表面的所述輻射透射襯底安置在所述凹陷中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,在所述凹陷的凸緣與包括所述至少一個光學(xué)表面的所述輻射透射襯底之間布置有聚焦隔離物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述第一光學(xué)組件的隔離物部分地限制通過所述光學(xué)組件的電磁輻射量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述第一光學(xué)組件的隔離物由可用于吸收通過所述第一光學(xué)組件的一種或多種波長的電磁輻射的材料構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述傳感器組件的隔離物包括彼此聯(lián)接的兩種或更多種材料的復(fù)合構(gòu)造。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述兩種或更多種材料選自由焊接掩模、絕緣材料和硅材料構(gòu)成的組。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述至少一個感測元件是感測元件晶片的單分部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,進一步包括聯(lián)接到所述傳感器組件的所述至少一個感測元件的電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,與傳感器組件隔離物的高度相結(jié)合的第一光學(xué)組件隔離物的高度將所述至少一個光學(xué)表面的焦點設(shè)定在所述感測元件的平面處或所述平面附近。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像設(shè)備,進一步包括至少一個另外的光學(xué)組件,所述至少一個另外的光學(xué)組件包括另外的輻射透射襯底和另外的隔離物,所述另外的輻射透射襯底包括至少一個另外的光學(xué)表面。
15.一種光學(xué)成像設(shè)備,包括:
光學(xué)組件,所述光學(xué)組件包括聯(lián)接到隔離物的多個光學(xué)元件;以及
傳感器組件,所述傳感器組件包括隔離物和至少一個感測元件,其中,所述光學(xué)組件的隔離物聯(lián)接到所述傳感器組件的隔離物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述光學(xué)組件的隔離物包括至少一個凹陷,所述光學(xué)元件中的一個至少部分地布置在所述至少一個凹陷中。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述光學(xué)組件的隔離物包括多個凹陷,所述光學(xué)元件至少部分地布置在所述多個凹陷中。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述多個光學(xué)元件以堆疊的構(gòu)造布置。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述光學(xué)組件的隔離物是光學(xué)組件隔離物晶片的單分部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述傳感器組件的隔離物是傳感器組件隔離物晶片的單分部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)成像設(shè)備,其中,所述至少一個感測元件是感測元件晶片的單分部分。
22.一種制造多個單獨的光學(xué)成像設(shè)備的方法,包括:
提供包括多個光學(xué)組件的晶片,所述光學(xué)組件包括隔離物和輻射透射襯底,所述輻射透射襯底具有至少一個光學(xué)表面;
提供傳感器晶片,所述傳感器晶片包括多個傳感器組件,所述傳感器組件包括感測元件和隔離物;
將所述光學(xué)組件的隔離物聯(lián)接到所述傳感器組件的隔離物,以提供多個結(jié)合的光學(xué)成像設(shè)備;以及
對所述結(jié)合的光學(xué)成像設(shè)備進行單分。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
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- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
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