[發明專利]用于氣體輸送系統的減少微粒處理

無效

• 申請號: 201080005200.6
• 申請日: 2010-01-21
• 公開（公告）號: CN102293062A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 大衛·大同·霍;伊琳·艾-琳·周;大衛·琨斯;詹尼弗·Y·孫
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H05H1/34
• 分類號: H05H1/34;H01L21/205;H01L21/3065
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 肖善強

技術領域

本發明的實施例大致關于半導體處理裝置。

背景技術

隨著半導體組件的臨界尺寸持續變小，因此無可妥協地需要改善半導體處理腔室中的處理環境的清潔。上述污染某部分源自腔室部件。例如，污染可源自氣體輸送部件(例如，噴頭)。明確地說，制造方法(例如，超音波鉆孔以在噴頭中形成孔)會導致孔壁上形成微粒物質。某些實例中，可通過例如熱氧化處理與熱氧化后通過射頻(RF)調整噴頭來至少部分地移除微粒物質。然而，為了滿意地減少微粒，噴頭在用于半導體處理腔室中前常需要超過100小時的RF調整。

因此，技術中需要改良的制造半導體處理腔室部件的方法。

發明內容

本文提供減少氣體輸送系統中的微粒的方法與設備。某些實施例中，制造半導體處理腔室所用的氣體分配設備(諸如，氣體分配板或噴嘴)的方法包括提供具有適以讓氣體流過其中的一或多個孔的氣體分配設備。漿料流過一或多個孔以從多個孔的側壁移除損壞表面。某些實施例中，可在將漿料流過一或多個孔之前或之后氧化氣體分配設備。某些實施例中，可通過提供RF功率至氣體分配板達所欲時間周期來調整氣體分配設備。

附圖說明

所以，上述簡介的本發明的特征可參考對本發明更具體描述的實施例進一步理解和敘述，部分實施例示出于附圖中。然而要指出的是，附圖僅說明本發明的典型實施例，因此不應被視為其范圍的限制，本發明亦適用于其它具有同等功效的實施例。

圖1描繪根據本發明某些實施例的具有氣體分配系統的處理腔室。

圖2描繪根據本發明某些實施例的制造氣體分配板的方法流程圖。

圖3描繪根據本發明某些實施例的氣體分配板的示意、部分俯視圖。

圖4A-C分別描繪根據本發明某些實施例的制造過程中氣體分配板的示意剖面側視圖。

為了便于理解，已經在可能的情況下，使用相同的組件符號指示各圖中相同的組件。為清晰起見已簡化且未按比例繪制附圖。意即，一實施例揭露的組件與/或處理步驟可有利地用于其它實施例而不需特別詳述。

具體實施方式

本文提供減少氣體輸送系統中的微粒的方法與設備。某些實施例中，本文提供用于氣體輸送系統的氣體分配設備(諸如，氣體分配板或噴嘴)以及其制造方法。本發明的氣體分配設備有利地在處理過程中提供低水平的微粒產生。本發明的制造方法可有利地改善制造時間并改善半導體處理腔室中的處理環境。本發明的方法可有利地減少或排除額外制造步驟(諸如，氣體分配板的氧化或射頻(RF)時效)的需求。某些實施例中，可排除RF調整或減少至低于或等于約5小時。

根據本發明實施例的包括氣體分配板或一或多個噴嘴的氣體輸送系統可并入任何適當的半導體處理系統。例如，圖1示意性地描繪根據本發明某些實施例的并有氣體輸送系統104的示范性雙頻電容性等離子體源反應器102的示意圖。上述反應器可例如用來執行蝕刻處理(可用來形成雙重鑲嵌結構)。雙頻電容性等離子體源反應器可包含于例如可從Applied?Materials，Inc.(Santa?Clara，California)購買的CENTURA半導體晶圓處理系統的處理系統中。反應器可適以處理300mm晶圓，可運作于廣泛范圍的處理參數與蝕刻劑化學作用下，可應用終點偵測系統，并具有原位自我清潔能力。一實施例中，反應器利用160MHz等離子體源來產生高密度等離子體、13.56MHz晶圓偏壓源以及等離子體磁化螺線管，以致反應器提供離子能量、等離子體密度與均勻性以及晶圓溫度的獨立控制。適當雙頻電容性等離子體源反應器的詳細描述提供于2002年7月9日申請的美國專利申請案10/192,271，其共同屬于Applied?Materials，Inc.，且在此將其全文并入作為參考資料。

雙頻電容性等離子體源反應器102是示范性的，而本文所述的氣體輸送系統104可配置于任何適當的處理腔室，諸如設置用于蝕刻、化學氣相沉積(CVD)、等離子體輔助化學氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)、熱處理、或需要氣體分配板的任何其它適當處理的腔室。示范性處理腔室可包括可從Applied?Materials，Inc.(Santa?Clara，California)取得的DPSENABLERADVANTEDGETM或其它處理腔室。其它適當腔室包括需要減少來自氣體分配板的微粒物質的任何腔室。