[發明專利]等離子體處理裝置

無效

• 申請號: 201080004139.3
• 申請日: 2010-01-08
• 公開（公告）號: CN102272896A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 若松貞次;龜崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤謙次;淺利伸;內田寬人
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/455;C23C16/505;H01L31/04
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 楊晶;王琦

1.一種等離子體處理裝置，包括：

處理室，由腔室、具有多個氣體導入口的電極法蘭、和由所述腔室與所述電極法蘭夾著的絕緣法蘭形成，并具有反應室；

支撐部，收容在所述反應室內，載置有基板，并控制所述基板的溫度；

簇射極板，收容在所述反應室內，以與所述基板對置的方式配置，并向所述基板提供工藝氣體；

多個氣體提供部，被設置在所述電極法蘭與所述簇射極板之間的空間內，與多個所述氣體導入口分別連通，并被配置為同心狀且環狀，且向所述簇射極板獨立提供不同組成的所述工藝氣體；以及

電壓施加部，在所述簇射極板與所述支撐部之間施加電壓。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述等離子體處理裝置為成膜裝置。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述等離子體處理裝置為蝕刻裝置。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述氣體提供部以使提供給所述基板的周緣部的氫的濃度相比于提供給所述基板的中央部的氫的濃度更低的方式，將所述工藝氣體提供到所述基板上。