[發明專利]半導體存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 201080003876.1
• 申請日: 2010-07-23
• 公開（公告）號: CN102272927A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 能澤克彌
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣;陳建全

1.一種半導體存儲器的制造方法，其包含以下工序：

在基板的上方，通過層疊反應性傳導材料及非反應性傳導材料而形成層疊膜的工序、

使所述層疊膜的側面露出的工序、

通過對所述層疊膜的露出的側面進行絕緣物形成處理，使從所述反應性傳導材料的側面開始的規定長度的所述反應性傳導材料變化成絕緣物，從而使所述非反應性傳導材料的側面相對于所述反應性傳導材料的側面突出而形成突起的工序、

形成覆蓋所述絕緣物及所述突起的半導體層的工序、

形成覆蓋所述半導體層的對置電極的工序；

所述絕緣物形成處理是氧化處理或氮化處理；

所述反應性傳導材料是通過氧化處理或氮化處理而發生化學反應從而變化成絕緣物的材料；

所述非反應性傳導材料是通過氧化處理或氮化處理而不變化成絕緣物的材料。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

在形成所述層疊膜的工序之前，包含以下工序：

在所述基板上形成絕緣層的工序、

在所述絕緣層上形成蝕刻阻擋層的工序；

在形成所述層疊膜的工序中，

在所述蝕刻阻擋層的上方形成所述層疊膜；

在使所述層疊膜的側面露出的工序中，

通過從所述層疊膜的上表面到所述蝕刻阻擋層為止地形成孔，由此使所述層疊膜的側面露出。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

在形成所述層疊膜的工序之前，包含以下工序：

在所述基板上形成布線層的工序、

在所述布線層上形成絕緣層的工序、

從所述絕緣層的上表面到所述布線層為止地形成孔的工序；

在形成所述層疊膜的工序中，

在相當于所述孔的底面的所述布線層、相當于所述孔的側壁的所述絕緣層及所述絕緣層的上表面形成所述層疊膜；

在使所述層疊膜的側面露出的工序中，

為了使形成在相當于所述孔的側壁的所述絕緣層上的所述層疊膜的側面露出，通過蝕刻除去所述層疊膜的一部分。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

所述層疊膜是在所述反應性傳導材料及所述非反應性傳導材料中的一方的兩面上形成有所述反應性傳導材料及所述非反應性傳導材料中的另一方的3層結構。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

所述半導體層是電阻變化膜。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

所述半導體層是隧道絕緣膜；

所述對置電極是強磁性體。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

所述反應性傳導材料是鋁、銅及鎂中的至少1種金屬、或含有鋁、銅及鎂中的至少1種的合金、或摻雜有所述合金的單晶硅及多晶硅中的至少1種。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

所述非反應性傳導材料是鉑、金或銀中的至少1種。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

所述絕緣物形成處理是氧化處理；

所述非反應性傳導材料是釕、鋅、錫、鈦、氧化釕、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦及氧化銦錫中的至少1種。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，

所述絕緣物形成處理是氧等離子處理或在含有氧元素的化學物質氣氛中的加熱處理。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲器的制造方法，其中，所述絕緣物形成處理是與液體氧化劑的接觸處理或氮等離子處理。