[發明專利]濺射靶及其制造方法

有效

• 申請號: 201080003316.6
• 申請日: 2010-02-24
• 公開（公告）號: CN102224276A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 中村祐一郎;久野晃;關口淳之輔
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01L21/285
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種粉粒的產生少的濺射靶，在包含富有延展性的物質的基質相內存在體積比率為1～50％的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無延展性的物質，其特征在于，在該靶的最外表面上形成有富有延展性且具有導電性的金屬覆蓋層。

2.如權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，形成所述金屬覆蓋層前的靶表面的中心線平均表面粗糙度Ra為0.1μm以下，十點平均粗糙度Rz為0.4μm以下，局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR為120μm以下，波狀起伏圖形的平均長度AW為1500μm以上。

3.如權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，延展性在包含富有延展性的物質的基質相內存在的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無延展性的物質以平均粒徑計具有0.1～10μm的尺寸。

4.如權利要求1至3中任一項所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層包含構成基質相的金屬中的至少一種，所述基質相包含富有延展性的物質。

5.如權利要求1至4中任一項所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層的厚度為100nm～300nm。

6.如權利要求1至4中任一項所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層包含Co、Cr和Pt中的至少一種。

7.一種粉粒的產生少的濺射靶的制造方法，所述靶中，在包含富有延展性的物質的基質相內存在體積比率為1～50％的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無延展性的物質，所述方法的特征在于，通過化學鍍敷法或物理蒸鍍法在該靶最外表面形成富有延展性且具有導電性的金屬覆蓋層。

8.一種粉粒的產生少的濺射靶的制造方法，其特征在于，對在包含富有延展性的物質的基質相內存在體積比率為1～50％的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無延展性的物質的靶的表面，預先通過切削加工進行一次加工，然后通過研磨進行精加工，由此形成中心線平均表面粗糙度Ra為0.1μm以下、十點平均粗糙度Rz為0.4μm以下、局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR為120μm以下、波狀起伏圖形的平均長度AW為1500μm以上的坡度平緩的表面，再通過化學鍍敷法或物理蒸鍍法形成富有延展性且具有導電性的金屬覆蓋層。

9.如權利要求8所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過切削加工進行一次加工，由此從靶材的表面切削1mm～10mm的范圍。

10.如權利要求8或9所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過研磨進行精加工，由此從經切削加工進行一次加工后的表面研磨1μm～50μm的范圍。