[發明專利]半導體用密封組合物、半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201080003315.1
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN102224577A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 小野升子;高村一夫
• 申請（專利權）人: 三井化學株式會社
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;C09K3/10;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種半導體用密封組合物，其含有具有2個以上的陽離子性官能團的重均分子量為2000～100000的樹脂，以元素基準計鈉及鉀的含量分別為10重量ppb以下，且通過動態光散射法而測定的體積平均粒徑為10nm以下。

2.如權利要求1所述的半導體用密封組合物，其中，所述樹脂的陽離子性官能團當量為43～430。

3.如權利要求1或2所述的半導體用密封組合物，其中，所述陽離子性官能團為選自伯氨基及仲氨基中的至少一種。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體用密封組合物，其中，所述樹脂為聚乙烯亞胺或聚乙烯亞胺衍生物。

5.一種半導體裝置的制造方法，包括密封組合物賦予工序，該工序為：對形成于基板上的層間絕緣層賦予權利要求1至4中任一項所述的半導體用密封組合物。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，上述層間絕緣層含有多孔二氧化硅，且于其表面具有源自所述多孔二氧化硅的硅醇殘基。

7.如權利要求5或6所述的半導體裝置的制造方法，進一步包括在所述層間絕緣層中形成10nm～32nm寬的凹狀的槽的工序，且所述密封組合物賦予工序使所述半導體用密封組合物至少與上述凹狀的槽的側面的層間絕緣層接觸。

8.一種半導體裝置，包括依序配置有下述層的構造：

多孔的層間絕緣層；

含有具有2個以上的陽離子性官能團的重均分子量為2000～100000的樹脂、且厚度為0.3nm～5nm的樹脂層；以及

由銅構成的層。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，于所述樹脂層與所述由銅構成的層之間進一步配置有銅阻擋層。