[發明專利]有機發光介質有效
| 申請號: | 201080003273.1 | 申請日: | 2010-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN102224614A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發明(設計)人: | 河村昌宏;水木由美子;河村祐一郎;齊藤博之 | 申請(專利權)人: | 出光興產株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;C09K11/06 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 介質 | ||
1.一種有機發光介質,其含有下述式(1)所表示的蒽衍生物和分子結構中含有至少1個吸電子基的化合物,
【化30】
式中,R1~R8、R11~R14分別表示氫原子、氟原子、取代或無取代的碳數1~10的烷基、取代或無取代的形成環的碳數為3~10的環烷基、取代或無取代的碳數3~30的烷基甲硅烷基、取代或無取代的形成環的碳數為8~30的芳基甲硅烷基、取代或無取代的碳數1~20的烷氧基、取代或無取代的形成環的碳數為6~20的芳氧基、取代或無取代的形成環的碳數為6~30的芳基、或取代或無取代的形成環的原子數為5~30的雜環基,
Ar1、Ar2分別表示取代或無取代的形成環的碳數為6~30的芳基、取代或無取代的形成環的原子數為5~30的雜環基。
2.根據權利要求1中所述的有機發光介質,其中,所述含有至少1個吸電子基的化合物是下述式(2)所表示的化合物,
【化31】
式中,Ar11表示取代或無取代的含蒽的基團、取代或無取代的含芘的基團、取代或無取代的含的基團、取代或無取代的含有苯并熒蒽的基團、或取代或無取代的含苯乙烯基的基團,
Ar12和Ar13分別表示取代或無取代的形成環的碳數6~30的芳基、或取代或無取代的形成環的原子數為5~30的雜環基,
G表示吸電子基,
p和q分別表示0或1的整數,r表示1~5的整數,s表示1~6的整數,當p=q=0時,r=1,當p=1時,q=1。
3.根據權利要求2中所述的有機發光介質,其中,所述式(2)所表示的化合物是下述式(3)~(8)所表示的化合物,
【化32】
【化33】
式中,R21~R28、R31~R38、R41~R46、R51~R60、R71~R79分別表示氫原子、氟原子、取代或無取代的碳數1~10的烷基、取代或無取代的形成環的碳數為3~10的環烷基、取代或無取代的碳數3~30的烷基甲硅烷基、取代或無取代的形成環的碳數為8~30的芳基甲硅烷基、取代或無取代的碳數1~20的烷氧基、取代或無取代的形成環的碳數為6~20的芳氧基、取代或無取代的形成環的碳數為6~30的芳基、或取代或無取代的形成環的原子數為5~30的雜環基,
Ar21~Ar24、Ar31~Ar34、Ar41~Ar46、Ar51~Ar54、Ar61~Ar66、Ar71~Ar73分別表示取代或無取代的形成環的碳數6~30的芳基、取代或無取代的形成環的原子數為5~30的雜環基,
G表示吸電子基,
r11、r12、r21、r22、r31、r32、r41、r42、r51、r52、r71分別表示1~5的整數,在G為2個以上時,它們可以相同或不同。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的有機發光介質,其中,所述吸電子性取代基是氰基。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的有機發光介質,其中,
所述式(1)所表示的蒽衍生物的Ar1是形成環的碳數為10~30的縮合芳香族環基。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





