[發明專利]導電光學器件及其制造方法、觸摸面板器件、顯示器和液晶顯示裝置

無效

• 申請號: 201080003103.3
• 申請日: 2010-08-26
• 公開（公告）號: CN102203639A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 梶谷俊一;竹之內正樹;遠藤惣銘;林部和彌;木村清廣
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11;B32B3/30;G02B1/10;G06F3/041;G06F3/045;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種導電光學器件，包括：

基底構件；和

透明導電膜，形成在所述基底構件上，所述透明導電膜的表面結構包括多個凸部，所述凸部具有防反射特性并且以小于等于可見光波長的間距設置。

2.根據權利要求1所述的導電光學器件，其中，所述基底構件包括與所述透明導電膜的凸部對應的多個凸狀結構。

3.根據權利要求2所述的導電光學器件，其中，所述基底構件的所述凸狀結構被配置為阻止在至少基本上垂直于所述基底構件的方向透過所述基底構件的光在所述凸狀結構和所述透明導電膜之間的界面反射。

4.根據權利要求1所述的導電光學器件，還包括形成在所述基底構件和所述透明導電膜之間的導電金屬膜。

5.根據權利要求2所述的導電光學器件，其中，所述凸狀結構的高寬比在0.2至1.78的范圍內。

6.根據權利要求1所述的導電光學器件，其中，所述透明導電膜的膜厚在9nm至50nm的范圍內。

7.根據權利要求2所述的導電光學器件，其中，所述透明導電膜在所述凸狀結構的頂部的膜厚為D1，所述透明導電膜在所述凸狀結構的傾斜部分的膜厚為D2，所述透明導電膜在相鄰凸狀結構之間的膜厚為D3，并且D1、D2和D3滿足D1＞D3＞D2的關系。

8.根據權利要求7所述的導電光學器件，其中，D1在25nm至50nm的范圍內，D2在9nm至30nm的范圍內，D3在9nm至50nm的范圍內。

9.根據權利要求2所述的導電光學器件，其中，所述凸狀結構的平均設置間距在110nm至280nm的范圍內。

10.根據權利要求2所述的導電光學器件，其中，所述凸狀結構被設置為形成多行軌跡。

11.根據權利要求2所述的導電光學器件，其中，所述凸狀結構被設置為形成六方柵格圖案或準六方柵格圖案。

12.根據權利要求10所述的導電光學器件，其中，所述凸狀結構具有錐體形或在軌跡方向上延長或壓縮的錐體形。

13.根據權利要求12所述的導電光學器件，其中，所述錐體形選自由圓錐形、圓錐臺形、橢圓錐形和橢圓錐臺形構成的組。

14.根據權利要求2所述的導電光學器件，其中，相鄰凸狀結構的下部以重疊的方式接合在一起。

15.一種觸摸面板器件，包括：

第一導電基底層；和

第二導電基底層，與所述第一導電基底層相對，

其中，所述第一導電基底層和所述第二導電基底層中的至少一個包括：

基底構件，以及

透明導電膜，形成在所述基底構件上，所述透明導電膜的表面結構包括多個凸部，所述凸部具有防反射特性并且以小于等于可見光波長的間距設置。

16.根據權利要求15所述的觸摸面板器件，其中，所述基底構件包括與所述透明導電膜的凸部對應的多個凸狀結構。

17.根據權利要求16所述的觸摸面板器件，其中，所述基底構件的所述凸狀結構被配置為阻止在至少基本上垂直于所述基底構件的方向透過所述基底構件的光在所述凸狀結構和所述透明導電膜之間的界面反射。

18.根據權利要求15所述的觸摸面板器件，還包括形成在所述基底構件和所述透明導電膜之間的導電金屬膜。

19.根據權利要求16所述的觸摸面板器件，其中，所述凸狀結構的高寬比在0.2至1.78的范圍內。

20.根據權利要求15所述的觸摸面板器件，其中，所述透明導電膜的膜厚在9nm至50nm的范圍內。

21.根據權利要求16所述的觸摸面板器件，其中，所述透明導電膜在所述凸狀結構的頂部的膜厚為D1，所述透明導電膜在所述凸狀結構的傾斜部分處的膜厚為D2，所述透明導電膜在相鄰凸狀結構之間的膜厚為D3，并且D1、D2和D3滿足D1＞D3＞D2的關系。

22.根據權利要求21所述的觸摸面板器件，其中，D1在25nm至50nm的范圍內，D2在9nm至30nm的范圍內，D3在9nm至50nm的范圍內。