[發(fā)明專利]磷化銦基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化銦基板及外延晶片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080002962.0
• 申請(qǐng)日: 2010-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN102187020A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沖田恭子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C30B29/40
• 分類號(hào): C30B29/40;C30B33/10;H01L21/205;H01L21/304
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種磷化銦基板的制造方法，其包括如下步驟：

準(zhǔn)備磷化銦基板；

利用硫酸過氧化氫水溶液混合物清洗上述磷化銦基板；及

在上述利用硫酸過氧化氫水溶液混合物進(jìn)行清洗的步驟之后，利用磷酸清洗上述磷化銦基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化銦基板的制造方法，其特征在于：以上述磷酸進(jìn)行清洗的步驟中，使用1％以上且30％以下的濃度的上述磷酸水溶液。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磷化銦基板的制造方法，其特征在于：上述準(zhǔn)備步驟中，準(zhǔn)備包含摻雜劑的上述磷化銦基板，上述摻雜劑含有選自由鐵、硫、錫以及鋅所組成的群中的至少一種物質(zhì)。

4.一種外延晶片的制造方法，其包括如下步驟：

通過權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磷化銦基板的制造方法而制造磷化銦基板；及

在上述磷化銦基板上形成外延層。

5.一種磷化銦基板，其特征在于：其是具有表面者，且

在上述表面中，硫酸離子的濃度為0.6ng/cm²以下，且與硫以外鍵結(jié)的氧的濃度以及碳的濃度為40原子％以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磷化銦基板，其特征在于：在上述表面中，In濃度相對(duì)P濃度的比(In/P)為1.23以下，且In氧化物為1.2原子％以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的磷化銦基板，其特征在于：包含含有選自由鐵、硫、錫以及鋅所組成的群中的至少一種物質(zhì)的摻雜劑。

8.一種外延晶片，其包括：

權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的磷化銦基板；及

形成在上述磷化銦基板的上述表面上的外延層。