[發明專利]半導體裝置的冷卻結構及具備該冷卻結構的電力變換裝置

無效

• 申請號: 201080002961.6
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN102187456A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 樋口雅人;川波靖彥;佐佐木亮
• 申請（專利權）人: 株式會社安川電機
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李雪春;武玉琴

1.一種半導體裝置的冷卻結構，其特征在于，具備：

產生熱量的半導體裝置；及冷卻單元，由具有第1熱容量并通過接合材料直接搭載所述半導體裝置的第1冷卻體和具有比所述第1熱容量大的第2熱容量的第2冷卻體構成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的冷卻結構，其特征在于，與形成在所述半導體裝置內部的內部電路電連接的電極露出在該半導體裝置的主面上，所述電極通過所述接合材料與所述第1冷卻體直接接合。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的冷卻結構，其特征在于，所述接合材料不包含絕緣材料。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置的冷卻結構，其特征在于，所述第1冷卻體和所述第2冷卻體通過形成在所述第1冷卻體上的第1嵌合部和形成在所述第2冷卻體上的第2嵌合部而組合成一體。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的冷卻結構，其特征在于，所述第2嵌合部是比周圍突出的突出部，所述第1嵌合部是收容所述突出部的凹部。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置的冷卻結構，其特征在于，在所述第1冷卻體和所述第2冷卻體之間配置有導熱材料。

7.根據權利要求1至6中任意一項所述的半導體裝置的冷卻結構，其特征在于，在組合成一體的所述第1冷卻體和所述第2冷卻體的外表面上設有電絕緣膜。

8.一種電力變換裝置，其特征在于，

具有多個半導體裝置，其具備：產生熱量的半導體裝置；及冷卻單元，由通過接合材料直接搭載所述半導體裝置的第1冷卻體和具有比所述第1冷卻體大的熱容量的第2冷卻體構成，通過將所述多個半導體裝置容納在絕緣性殼體中，使各半導體裝置間電絕緣。

9.根據權利要求8所述的電力變換裝置，其特征在于，具備收容所述絕緣性殼體的框體。

10.一種電力變換裝置，是具備通過接合材料分別搭載在多個冷卻體上的多個半導體裝置的電力變換裝置，其特征在于，在所述多個冷卻體之間分別形成有絕緣層。

11.根據權利要求10所述的電力變換裝置，其特征在于，所述冷卻體上設有供給制冷劑的液冷孔。

12.根據權利要求10或11所述的電力變換裝置，其特征在于，具備多個金屬層，分別配置在所述多個冷卻體和所述多個半導體裝置之間。