[發明專利]于半導體基板上制造貫穿互連線的方法

有效

• 申請號: 201080002713.1
• 申請日: 2010-08-18
• 公開（公告）號: CN102165587A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 朱振甫
• 申請（專利權）人: 旭明光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L23/48;H01L21/44
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，包括：

在該基板的第一側中形成部分貫穿該基板的一介層孔；

在該第一側上及該介層孔中形成一電氣絕緣層；

在該絕緣層上形成一傳導層，該傳導層至少部分地作為該介層孔的內襯；

在該基板的該第一側上形成第一接觸部，該第一接觸部包括填滿該介層孔并與該傳導層電氣接觸的流動性金屬；及

薄化該基板的第二側，至少達該絕緣層。

2.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，更包括在該基板的該第二側上形成與該第一接觸部電氣接觸的第二接觸部。

3.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該傳導層包括一金屬層，且該第一接觸部包括一凸塊或一襯墊。

4.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該薄化步驟包括選自于研磨、化學機械研磨、及刻蝕組成的群體中的一方法。

5.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該形成該第一接觸部的步驟包括經由一遮罩沉積焊料或金屬膠。

6.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該形成該第一接觸部的步驟包括一焊料凸塊接合法或一焊料噴流法。

7.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該形成該第一接觸部的步驟包括一二步驟處理，其中通過該流動性金屬的沉積而填滿該介層孔，接著進行凸塊或球體形成步驟。

8.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該形成該第一接觸部的步驟包括使用一回焊爐使該流動性金屬回流至該介層孔中。

9.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該介層孔包括一底表面，且執行該薄化步驟，以移除該底表面上至少一部分的該傳導層。

10.如權利要求1所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該介層孔包括一底表面，且執行該薄化步驟，使該傳導層的至少一部分留在該底表面上。

11.一種于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，包括：

提供具有第一側與第二側的該半導體基板；

在該第一側中形成一介層孔，該介層孔在基板中具有側壁及一底表面；

在該第一側、該介層孔的該側壁及該底表面上形成一電氣絕緣層；

在該絕緣層上形成一電氣傳導層；

在該介層孔中形成第一接觸部，該第一接觸部與該傳導層電氣接觸；及

自該第二側開始薄化該基板，至少達該介層孔的該底表面上的絕緣層。

12.如權利要求11所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，更包括在該第二側上形成與第一金屬凸塊電氣接觸的第二接觸部。

13.如權利要求12所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該第一接觸部與該第二接觸部包括金屬凸塊。

14.如權利要求12所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該第一接觸部與該第二接觸部包括襯墊。

15.如權利要求11所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該形成該第一接觸部的步驟包括選自于經由一遮罩的沉積、銷狀隆起球體接合法與焊料噴流法組成的群體中的一方法。

16.如權利要求11所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該形成該介層孔的步驟包括晶體圖像刻蝕法，且該介層孔具有斜的側壁。

17.如權利要求11所述的于一半導體基板上制造一貫穿互連線的方法，其中該薄化步驟包括選自于研磨、化學機械研磨、及刻蝕組成的群體中的一方法。