[發明專利]柔性半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201080001895.0
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN102067320A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 一柳貴志;中谷誠一;平野浩一
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/52;H01L27/04;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種柔性半導體裝置的制造方法，該柔性半導體裝置具有薄膜晶體管，其特征在于：

該柔性半導體裝置的制造方法包括：

工序a，準備由第一金屬層、無機絕緣層、半導體層及第二金屬層依次疊層而成的疊層膜，

工序b，通過對所述第二金屬層的一部分進行蝕刻，形成由所述第二金屬層形成的源極電極和漏極電極，

工序c，將樹脂層壓接在所述疊層膜的形成有所述源極電極和漏極電極的面上，將所述源極電極和漏極電極埋設在該樹脂層中，以及

工序d，通過對所述第一金屬層的一部分進行蝕刻，形成由所述第一金屬層形成的柵極電極；

所述柵極電極上的所述無機絕緣層起柵極絕緣膜的作用，所述無機絕緣層上的位于所述源極電極和漏極電極之間的所述半導體層起溝道的作用。

2.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述工序c中，樹脂層由樹脂薄片形成。

3.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

還包括：在所述工序b之后，通過蝕刻除去所述半導體層中除了至少包括所述溝道的區域以外的部分的工序。

4.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述工序c包括：

工序c1，準備形成有多個貫穿兩面的導電性層間連接部位的所述樹脂層，和

工序c2，將所述樹脂層壓接在所述疊層膜的形成有所述源極電極和漏極電極的面上，將所述源極電極和漏極電極埋設在該樹脂層中，并且使所述源極電極和漏極電極與所述層間連接部位連接起來。

5.根據權利要求4所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述工序b之后，還包括：

通過蝕刻除去所述半導體層中除了成為所述溝道的區域以外的部分，使所述無機絕緣層露出的工序，和

對已露出的所述無機絕緣層的一部分進行蝕刻，形成使所述第一金屬層露出的開口部的工序；

在所述工序c2中，所述層間連接部位與所述第一金屬層連接。

6.根據權利要求4或5所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

還包括：在所述工序c之后，將第三金屬層壓接在所述無機絕緣層的表面上，然后蝕刻該第三金屬層形成布線的工序；

所述布線經由所述層間連接部位與所述源極電極和漏極電極或者/以及所述第一金屬層電連接。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述層間連接部位是膏填充型通路。

8.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述工序c之后，還包括：

對所述無機絕緣層的表面的一部分進行蝕刻，形成使所述源極電極和漏極電極露出的開口部的工序，和

在所述無機絕緣層的至少包括所述開口部的表面上，形成與所述源極電極和漏極電極電連接的鍍層的工序。

9.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述工序a中，在至少包括所述溝道的區域，所述半導體層事先已被圖案化。

10.根據權利要求9所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述工序b中，通過蝕刻所述第二金屬層的一部分，形成所述源極電極和漏極電極，同時還形成電容器的由所述第二金屬層形成的上電極，

在所述工序d中，通過蝕刻所述第一金屬層的一部分，形成所述柵極電極，同時還形成電容器的由所述第一金屬層形成的下電極，

位于所述上電極與所述下電極之間的所述無機絕緣層起電容器的介電層的作用。

11.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述工序a中，在所述半導體層與所述第二金屬層之間還設置有擴散防止層。