[實用新型]用離子束濺射硅薄膜制作的壓力應變器件有效
| 申請號： | 201020701490.5 | 申請日： | 2010-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN201926529U | 公開（公告）日： | 2011-08-10 |
| 發明（設計）人： | 歐陽德利 | 申請（專利權）人： | 東莞市百賽儀器有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/22 | 分類號： | G01L1/22;G01L9/04;C23C14/46;C23C14/14 |
| 代理公司： | 深圳市科吉華烽知識產權事務所 44248 | 代理人： | 朱曉光 |
| 地址： | 523808 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子束 濺射 薄膜 制作 壓力 應變 器件 | ||
1.一種用離子束濺射硅薄膜制作的壓力應變器件，其特征在于：
所述壓力應變器件包括：
一引壓連接體(1)；
與引壓連接體(1)制作在一起的金屬彈性膜片(2)；
金屬彈性膜片(2)上有第一層的電氣隔離層；
在電氣隔離層之上，有第二層為硅薄膜壓阻層；
在壓阻材料層之上有絕緣介質膠覆蓋，形成第三層保護層，所述金屬彈性膜片(2)、電氣隔離層、硅薄膜壓阻層、保護層共同形成硅薄膜應變器件(3)。
2.根據權利要求1所述的用離子束濺射硅薄膜制作的壓力應變器件，其特征在于：
所述電氣隔離層厚度小于150微米。
3.根據權利要求1所述的用離子束濺射硅薄膜制作的壓力應變器件，其特征在于：
所述硅薄膜壓阻層厚度小于1微米。
4.根據權利要求1所述的用離子束濺射硅薄膜制作的壓力應變器件，其特征在于：
在所述硅薄膜壓阻層上有用微細刻蝕加工工藝刻蝕而成的應變片物理形狀結構所形成的一個以上的應變電阻，應變電阻并連接成惠斯登電橋以輸出與彈性膜片所受壓強成比例的毫伏級電壓信號。
5.根據權利要求書1所述的離子束濺射硅薄膜制作的壓力應變器件，其特征在于：
引壓連接體(1)和金屬彈性膜片(2)的連接結構形式包括，：金屬彈性膜片(2)直接焊接在引壓連接體(1)上；
引壓連接體(1)材料和金屬彈性膜片(2)的材料都是金屬材料。
6.根據權利要求書1所述的離子束濺射硅薄膜制作的壓力應變器件，其特征在于：
引壓連接體(1)和金屬彈性膜片(2)是由單體金屬加工成二者合一的無焊縫、無密封圈密封的一體化結構；
引壓連接體(1)材料和金屬彈性膜片(2)的材料都是金屬材料。
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