[實用新型]一種能提高光提取效率的發光二極管有效
| 申請號： | 201020697903.7 | 申請日： | 2010-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN201918418U | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發明（設計）人： | 張雪亮;吳東海 | 申請（專利權）人： | 同方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 提取 效率 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種能提高光提取效率的發光二極管，它包括基板(11)以及置于基板(11)上方的依次由N型半導體層(21)、發光層(22)、P型半導體層(23)和透明導電層(41)組成的發光結構，透明導電層(41)上的一端置有P型電極(52)，在N型半導體層(21)上、與P型電極(52)相對的另一端置有N型電極(51)；其特征在于，所述P型半導體層(23)和透明導電層(41)之間置有正向光導出結構(31)，正向光導出結構(31)為等間距矩陣排列的數多個小凸塊。
2.根據權利要求1所述的所述能提高光提取效率的發光二極管，其特征在于，所述正向光導出結構(31)采用對所發出的光為透明的且對光的折射率大小介于P型半導體層(23)和透明導電層(41)折射率之間的材料。
3.根據權利要求1或2所述的所述能提高光提取效率的發光二極管，其特征在于，所述小凸塊的高度為0.1-10μm，小凸塊的底部直徑為1-10μm，小凸塊的之間的間距為1-10μm。
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