[實(shí)用新型]增加正電極細(xì)柵線的太陽能電池片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020696815.5 | 申請日: | 2010-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN201918393U | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 苗成祥 | 申請(專利權(quán))人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 增加 電極 細(xì)柵線 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種增加正電極細(xì)柵線的太陽能電池片。
背景技術(shù)
目前晶體硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)化技術(shù)已經(jīng)非常成熟,然而與常規(guī)能源相比,相對較高的成本與較低的效率制約了其發(fā)展,對于如何降低成本及提高轉(zhuǎn)換效率,人們進(jìn)行了大量的研究。
在影響效率的因素中,柵線是其中一個(gè)關(guān)鍵因素。硅太陽能表面的柵線設(shè)計(jì)是為了最大的限度的收集光電流,并盡可能的降低串聯(lián)電阻,即柵線應(yīng)越密越粗越好,然而這必然減少了硅電池的受光面積,同時(shí)大大增加了生產(chǎn)成本。因此柵線的設(shè)計(jì)應(yīng)是受光面積與收集光電流及降低串聯(lián)電阻之間的合理匹配。
為了達(dá)到對柵線的優(yōu)化,提高電流的收集,同時(shí)降低串聯(lián)電阻的前提下,盡可能的提高電性能?,F(xiàn)在的這種將電極設(shè)計(jì)成59條柵線,該方法雖然增加了硅電池的受光面積,但增加電池片的串聯(lián)電阻,對硅片的轉(zhuǎn)化效率產(chǎn)生了很大影響。雖然現(xiàn)在可以通過將柵線加高和變窄的辦法來降低串聯(lián)電阻,但這樣增加了漿料的使用量,增加制造成本;漿料的可使用性必須隨之增強(qiáng);同時(shí)窄的柵線會(huì)使柵線與硅電池之間的接觸力下降,會(huì)減短電池的壽命。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:設(shè)計(jì)一種增加正電極細(xì)柵線的太陽能電池片,在不影響受光面積的情況下,增加光電流的收集,降低電池片串聯(lián)電阻,增加短路電流,最終提升電性能效率。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種增加正電極細(xì)柵線的太陽能電池片,在電池片的受光面設(shè)置多根平行的細(xì)柵線和與細(xì)柵線垂直的主柵線,細(xì)柵線均勻分布,相鄰細(xì)柵線之間的間距H為2.0-2.4um。
具體地,太陽能電池片為外形尺寸156×56的多晶硅,細(xì)柵線的根數(shù)為64~67根,細(xì)柵線的寬度為90-100um。
優(yōu)選細(xì)柵線的根數(shù)為65根。
本實(shí)用新型的有益效果是:通過對現(xiàn)有電池片進(jìn)行理論計(jì)算,應(yīng)用光電子壽命W-2000的方法測試進(jìn)行了驗(yàn)證,解析得到電池片表面的少子壽命的分布規(guī)律。發(fā)現(xiàn)在59根柵線之間少子因沒有及時(shí)導(dǎo)出而被湮沒,本設(shè)計(jì)針對硅片表面的光生載流子的密度來設(shè)計(jì)柵線的的密度,同時(shí)降低柵線的寬度,進(jìn)而維持了印刷漿料的重量,有效的控制了制造成本。該設(shè)計(jì)增加電池片表面的電子的傳輸速度,增加電子的有效傳導(dǎo)。柵線的增加會(huì)增大遮光面積,為了保證有效面積的不變,將柵線的寬度降低,通過理論計(jì)算,并實(shí)際測量柵線的寬度來控制柵線的寬度。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明;
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
其中:1.細(xì)柵線,2.主柵線。
具體實(shí)施方式
如圖1所述的一種增加正電極細(xì)柵線的太陽能電池片,該太陽能電池片為外形尺寸156×56的多晶硅,在電池片的受光面設(shè)置多根平行的細(xì)柵線1和與細(xì)柵線1垂直的主柵線2,主柵線2具有三根,細(xì)柵線1均勻分布,相鄰細(xì)柵線1之間的間距H為2.0-2.4um,細(xì)柵線1的根數(shù)為64~67根,細(xì)柵線1的寬度為90-100um,細(xì)柵線1均勻分布。優(yōu)選細(xì)柵線1的根數(shù)為65根。采用65柵線后測試結(jié)果相對采用59柵線在開路電壓上增加了0.0015V,短路電流增加了0.016A,填充因數(shù)增加到0.62,轉(zhuǎn)化效率增加了0.13%。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





