[實用新型]一種太陽光譜選擇性吸收薄膜有效
| 申請號： | 201020692553.5 | 申請日： | 2010-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN202083144U | 公開（公告）日： | 2011-12-21 |
| 發明（設計）人： | 沈輝;汪保衛;林楊歡;陳奕峰 | 申請（專利權）人： | 順德中山大學太陽能研究院 |
| 主分類號： | F24J2/50 | 分類號： | F24J2/50 |
| 代理公司： | 廣州市一新專利商標事務所有限公司 44220 | 代理人： | 陳振華 |
| 地址： | 528300 廣東省佛山市順德區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 光譜 選擇性 吸收 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽光譜選擇性吸收薄膜，包括銅基片，采用四層結構膜系，其特征是在銅基片層上設置疊式三層膜層，從下至上依次為銅基片層(1)、NiCrOxNy高金屬含量吸收層(2)、NiCrOxNy低金屬含量吸收層(3)和NiCrOx減反射層(4)。
2.根據權利要求1所述的太陽光譜選擇性吸收薄膜，其特征是NiCrOx減反射層為化合物介質膜層。
3.根據權利要求1所述的太陽光譜選擇性吸收薄膜，其特征是NiCrOxNy高金屬含量吸收層的厚度為40～60nm，NiCrOxNy低金屬含量吸收層的厚度為40～70nm，NiCrOx減反射層的厚度為40～70nm。
4.根據權利要求1所述的太陽光譜選擇性吸收薄膜，其特征是銅基片層為表面光亮的銅片。?
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