[實用新型]一種靜電保護結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020688145.2
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN201994299U
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杭曉偉;彭秋平;賈力;張禎
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州華芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務(wù)所 11264
• 代理人: 孫東風

1.一種靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：它由NMOS管、電阻和壓焊點構(gòu)成；NMOS管的柵端、P型襯底和源端連接并接地，漏端與壓焊點連接；電阻一端接壓焊點，另一端為靜電保護結(jié)構(gòu)的輸出端與芯片的內(nèi)部電路連接；

所述的NMOS管還包括N型擴散區(qū)、多晶硅、源端襯底引出線和隔離環(huán)；多晶硅與N型擴散區(qū)交疊部分形成柵端；N型擴散區(qū)為P型襯底上的N阱，源端和漏端均由N阱構(gòu)成，且源端和漏端成叉指狀交錯分布，形成多個小NMOS管并聯(lián)結(jié)構(gòu)；源端和漏端所在的N阱內(nèi)均設(shè)有通孔，源端的通孔與源端襯底引出線連接，隔離環(huán)與源端連接；源端襯底引出線還與P型襯底連接；

所述的電阻由多晶硅構(gòu)成，與壓焊點連接時由多晶硅直接與壓焊點連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的NMOS管的柵端通過另一個電阻接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的每個小NMOS管的源端的通孔與柵端之間距離為1μm，漏端的通孔到柵端的距離為4μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的電阻寬度大于等于5μm，阻值大于200歐姆。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的pick-up?ring的寬度為5μm，與所述的NMOS管的N型擴散區(qū)邊緣的距離為3μm。