[實(shí)用新型]硅芯定位搭接裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020683341.0
• 申請(qǐng)日: 2010-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201990493U
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鵬;胡楚漢;董先君
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 宜昌南玻硅材料有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C01B33/035
• 分類(lèi)號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 宜昌市三峽專(zhuān)利事務(wù)所 42103
• 代理人: 成鋼

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及西門(mén)子法還原爐生產(chǎn)多晶硅的領(lǐng)域，特別是一種硅芯定位搭接裝置。

背景技術(shù)

目前在多晶硅生產(chǎn)中，國(guó)內(nèi)已經(jīng)大批量采用大型線切割機(jī)可以生產(chǎn)的方硅芯及生產(chǎn)裝配方法。在中國(guó)專(zhuān)利“CN101698480”中，提供了利用方硅芯生產(chǎn)多晶硅的裝置及方法。但是在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)于橫梁硅芯缺乏有效定位，硅芯橫梁安裝具有一定的人為主觀隨意性，實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，橫梁硅芯容易發(fā)生位移抖動(dòng)引起的橫梁硅芯脫落，終止生產(chǎn)，造成損失，也有因此造成“∏”型導(dǎo)電回路演變成“∧”或“V”型不穩(wěn)定、不安全的導(dǎo)電回路進(jìn)行生產(chǎn)。目前也有部分企業(yè)采用在硅芯搭接處用鉬絲捆綁定位，來(lái)防止橫梁硅芯滑落，但鉬絲會(huì)對(duì)硅棒生產(chǎn)造成污染，而且在拆爐取棒，硅塊產(chǎn)品整理時(shí)須分離出鉬絲，提高了工作量和工作難度。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種硅芯定位搭接裝置，可以提高橫方硅芯和第一豎方硅芯、第二豎方硅芯構(gòu)成的“∏”型導(dǎo)電回路的穩(wěn)定性，確保啟爐成功率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：一種硅芯定位搭接裝置，第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端部設(shè)有“V”形槽，橫方硅芯兩端設(shè)有凹“V”形槽，兩凹“V”形槽分別與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的“V”形槽連接。

所述的“V”形槽與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的邊平行，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的邊長(zhǎng)。

所述的“V”形槽位于第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端面的對(duì)角線上，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端面的的對(duì)角線長(zhǎng)度。

本實(shí)用新型提供的一種硅芯定位搭接裝置，通過(guò)在橫方硅芯兩端設(shè)置凹“V”形槽，與設(shè)在第一豎方硅芯和第二豎方硅芯端面的“V”形槽卡住并連接，兩者有良好的接觸面，可以避免因?yàn)榻佑|不良出現(xiàn)局部溫升過(guò)高，這是由于除了在“V”形槽部分接觸外，在橫方硅芯兩端設(shè)置的凹“V”形槽內(nèi)壁與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯的端部側(cè)面也具有良好的接觸，增加了接觸面積。

而且這種連接，也會(huì)將橫方硅芯與第一豎方硅芯和第二豎方硅芯互相卡住支撐定位，構(gòu)成一個(gè)穩(wěn)定的“∏”型導(dǎo)電回路，從而確保啟爐成功率。該∏型導(dǎo)電回路構(gòu)成的尺寸結(jié)構(gòu)不會(huì)因各種工況引起的硅芯顫抖或搖擺造成橫梁硅芯搭接位移，甚至滑落。該設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)有效防止∏型導(dǎo)電回路演變成“∧”或“V”型不穩(wěn)定的導(dǎo)電回路。

本實(shí)用新型應(yīng)用于豎方硅芯越高的生產(chǎn)工藝，其安全性和經(jīng)濟(jì)效益也更為顯著。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明：

圖1是本實(shí)用新型的主視圖。

圖2是本實(shí)用新型的側(cè)視圖。

圖3是圖1的A-A剖視圖。

圖4是本實(shí)用新型的另一優(yōu)化方案的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1中，一種硅芯定位搭接裝置，第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3端部設(shè)有“V”形槽，橫方硅芯1兩端設(shè)有凹“V”形槽，兩凹“V”形槽分別與第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3的“V”形槽連接。

優(yōu)化的方案是，如圖1、圖2和圖3中，所述的“V”形槽與第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3的邊平行，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3的邊長(zhǎng)。

另一優(yōu)化的方案是，如圖4中，所述的“V”形槽位于第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3端面的對(duì)角線上，凹“V”形槽的寬度等于第一豎方硅芯2和第二豎方硅芯3端面的的對(duì)角線長(zhǎng)度。