[實用新型]3D眼鏡模擬開關驅動電路有效

申請號：	201020682468.0	申請日：	2010-12-27
公開（公告）號：	CN201904771U	公開（公告）日：	2011-07-20
發明（設計）人：	于大超;郄勇;李衛國;葉鑫	申請（專利權）人：	濰坊歌爾科技有限公司
主分類號：	H03K17/687	分類號：	H03K17/687
代理公司：	北京鴻元知識產權代理有限公司 11327	代理人：	陳英俊
地址：	261031 山東省濰坊市奎文區（濰坊出口加工區）玉清東街以***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	眼鏡模擬開關驅動電路
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【權利要求書】：

1.一種模擬開關驅動電路，其特征在于，該模擬開關驅動電路包括至少一個驅動電路單元，所述驅動電路單元包括場效應晶體管和兩個電阻，其中，

在所述場效應晶體管為NMOS型場效應晶體管時，其中一個電阻與所述NMOS型場效應晶體管的柵極相連接地，另一個電阻與所述NMOS型場效應晶體管的漏極相連，所述NMOS型場效應晶體管的源極和襯底接地；并且，在所述NMOS型場效應晶體管的柵極和漏極之間還并聯連接有一ESD管，在漏極和源極之間反向并聯了一個二極管；

在所述場效應晶體管為PMOS型場效應晶體管時，其中一個電阻連接在所述PMOS型場效應晶體管的柵極和源極之間，另一個電阻與所述PMOS型場效應晶體管的源極相連接地，所述PMOS型場效應晶體管的源極和襯底相連；并且，在所述PMOS型場效應晶體管的漏極和源極之間反向并聯了一個二極管。

2.如權利要求1所述的模擬開關驅動電路，其特征在于，

所述模擬開關驅動電路包括1～5個驅動電路單元。

3.如權利要求1所述的模擬開關驅動電路，其特征在于，

與所述NMOS型場效應晶體管的柵極相連接地的電阻阻值為0.5兆歐到1.2兆歐。

4.如權利要求3所述的模擬開關驅動電路，其特征在于，

與所述NMOS型場效應晶體管的柵極相連接地的電阻阻值為1兆歐。

5.如權利要求1所述的模擬開關驅動電路，其特征在于，

連接在所述PMOS型場效應晶體管的柵極和源極之間的電阻阻值為0.5兆歐到1.2兆歐。

6.如權利要求1所述的模擬開關驅動電路，其特征在于，

連接在所述PMOS型場效應晶體管的柵極和源極之間的電阻阻值為1兆歐。

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