[實用新型]抗強光紅外接收電路輸入結構有效
| 申請號： | 201020659418.0 | 申請日： | 2010-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN201985861U | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 徐棟;徐玉婷;沈天平;彭云武;徐敏;王秀芬 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤矽科微電子有限公司 |
| 主分類號： | H04B10/06 | 分類號： | H04B10/06 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 214061*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 強光 紅外 接收 電路 輸入 結構 | ||
1.一種抗強光紅外接收電路輸入結構，包括光敏二極管、一個或多個分壓電路，其特征在于，所述分壓電路包括：控制電路、開關電路和電阻網絡；所述控制電路與所述開關電路連接，控制所述開關電路的開關狀態，所述開關電路與所述電阻網絡并聯，所述控制電路與所述電阻網絡分別接入紅外接收電路，形成反饋回路。
2.根據權利要求1所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述控制電路與所述紅外接收電路中的光敏二極管的陰極相連。
3.根據權利要求2所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述開關電路包括MOS晶體管。
4.根據權利要求3所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述控制電路包括比較器，所述比較器的反相輸入端接控制電壓，同相輸入端接反饋電壓。
5.根據權利要求3所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述控制電路包括比較器，所述比較器的反相輸入端接反饋電壓，同相輸入端接控制電壓。
6.根據權利要求4所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述MOS晶體管為PMOS管，所述控制電路的輸出端與所述PMOS管的柵極相連。
7.根據權利要求5所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述MOS晶體管為NMOS管，所述控制電路的輸出端與所述NMOS管的柵極相連。
8.根據權利要求1-7任一項所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述分壓電路為多個時，其電阻網絡串聯連接。
9.根據權利要求8所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述電阻網絡包括一個或多個阻抗器件。
10.根據權利要求9所述的抗強光紅外接收電路輸入結構，其特征在于，所述阻抗器件為無源電阻器件或MOS晶體管組成的有源電阻器件。
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