[實用新型]基于金金鍵合工藝的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020658349.1 | 申請日： | 2010-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN202102009U | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 董自強;黃慶安;秦明 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | G01P13/02 | 分類號： | G01P13/02;G01P5/10;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 210096*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 金金鍵合 工藝 風(fēng)速 風(fēng)向 傳感器 | ||
1.基于金金鍵合工藝的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器，包括陶瓷芯片(1)和減薄硅芯片(28)，減薄硅芯片(28)位于陶瓷芯片(1)的下方，在減薄硅芯片(28)的上表面四邊對稱分布設(shè)有4個熱傳感測溫元件(19)，每個熱傳感測溫元件上熱連接有2個下熱連接焊盤(23)且每個熱傳感測溫元件電連接有2個下電連接焊盤(22)，在下熱連接焊盤(23)上設(shè)置有下熱連接金凸點(24)，在下電連接焊盤(22)上設(shè)置有下電連接金凸點(25)，在陶瓷芯片(1)的下表面上設(shè)有與每個下熱連接焊盤相對應(yīng)的上熱連接金凸點(12)和上熱連接焊盤(6)以及每個下電連接焊盤相對應(yīng)的上電連接金凸點(11)和上電連接焊盤(5)，其特征在于在減薄硅芯片(28)上表面位于4個熱傳感測溫元件中間位置設(shè)有空腔一(26)，在4個熱傳感測溫元件(19)四周位置與陶瓷芯片(1)上電引出金凸點(10)相對應(yīng)區(qū)域設(shè)置有空腔二(27)，空腔一(26)和空腔二(27)的深度為30微米至50微米，空腔一(26)用于加熱元件(7)與減薄硅芯片(28)之間的熱隔離，空腔二(27)用于最后圓片級釋放時，陶瓷芯片(1)上電引出金凸點(10)的露出，加熱元件(7)設(shè)在陶瓷芯片(1)的下表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于金金鍵合工藝的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器，其特征在于用于熱隔離的空腔一(26)位于加熱元件(7)的正下方，并通過圓片級釋放工藝，加熱元件(7)最終實現(xiàn)露出，與硅襯底之間實現(xiàn)完全隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于金金鍵合工藝的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器，其特征在于在陶瓷芯片(1)的下表面上設(shè)有電引出金凸點(10)，電引出金凸點下方設(shè)置有電引出焊盤(4)，電引出金凸點(10)在減薄硅芯片(28)上的投影與減薄硅芯片(28)上空腔二(27)的位置相對應(yīng)，并通過濕法腐蝕釋放最終使得電引出金凸點(10)露出。?
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