[實(shí)用新型]晶體振蕩器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020656390.5 | 申請(qǐng)日： | 2010-12-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201898477U | 公開（公告）日： | 2011-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 皮常明;田鑫;范紅梅;張遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03B5/04 | 分類號(hào)： | H03B5/04 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體振蕩器 | ||
1.一種晶體振蕩器，包括晶體和晶體驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述晶體驅(qū)動(dòng)電路包括第一晶體管和向所述第一晶體管提供偏置電壓的偏置電路，所述偏置電路控制所述第一晶體管的偏置電流，所述第一晶體管根據(jù)所述偏置電流向所述晶體提供振蕩電壓，所述偏置電路包括兩個(gè)反接的二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述二極管是PN結(jié)二極管或MOS管的寄生二極管。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述晶體驅(qū)動(dòng)電路還包括第一電流鏡電路和第二電流鏡電路，所述第一、第二電流鏡電路將電流源的電流提供給所述第一晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第一電流鏡電路包括第二晶體管和第三晶體管，所述第二晶體管的柵極連接所述第一晶體管的柵極，所述第二晶體管的漏極連接直流電源，所述第三晶體管的柵極連接所述第二晶體管的漏極，所述第三晶體管的漏極連接所述第二電流鏡電路，所述第一、第二、第三晶體管的源極接地，所述第一晶體管的漏極和柵極分別連接所述晶體的兩端。
5.如權(quán)利要求4所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述電流控制電路包括第一電容、第二電容、一電阻、所述第二晶體管及所述直流電源，所述第一電容連接于所述第一、第二晶體管的柵極之間，所述第二電容連接于所述第三晶體管的柵極和地之間，所述電阻連接于所述第二晶體管的柵極和漏極之間。
6.如權(quán)利要求3所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第二電流鏡電路包括第四晶體和第五晶體，所述第四晶體管的柵極連接所述第五晶體管的柵極，所述第四晶體管的漏極連接所述第一電流鏡電路，所述第四晶體管的柵極連接所述第四晶體管的漏極，所述第五晶體管的漏極連接所述第一晶體管的柵極，所述第四、第五晶體管的源極接地。
7.如權(quán)利要求6所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第四晶體管的柵極與源極之間連接第三電容。
8.如權(quán)利要求6或7所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第四、第五晶體管為PMOS晶體管。
9.如權(quán)利要求3或4所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第二、第三晶體管為NMOS晶體管。
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