[實用新型]用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的多腔室氣路系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020653887.1 | 申請日: | 2010-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN201971893U | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 褚君浩;張傳軍;江錦春;莊春泉 | 申請(專利權(quán))人: | 上海太陽能電池研究與發(fā)展中心 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 上海市浦東龍*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 等離子體 增強(qiáng) 化學(xué) 沉積 設(shè)備 多腔室氣路 系統(tǒng) | ||
1.一種用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的多腔室氣路系統(tǒng),包括:八種氣路,分別為H2氣路(1)、Ar氣路(2)、CH4氣路(3)、PH3氣路(4)、SiH4氣路(5)、GeH4氣路(6)、TMB氣路(7)和NF3氣路(8),其特征在于:
在各自氣路的前進(jìn)方向上設(shè)置有前級氣動擋板閥(10);
所說的H2氣路(1)和SiH4氣路(5)在前級氣動擋板閥(10)后,分流成三支流氣路,這三支流氣路分別與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)連接,在通向P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)的三支流氣路上分別依次設(shè)置有流量計(14)和后級氣動擋板閥(15);
所說的NF3氣路(8)在前級氣動擋板閥(10)后設(shè)置有流量計(14),在其后分流成三支流氣路,這三支流氣路分別與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)連接,在通向P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)的三支流氣路上設(shè)置有后級氣動擋板閥(15);
所說的Ar氣路(2)在前級氣動擋板閥(10)后設(shè)置有流量計(14),在其后分流成三支流氣路或四支流氣路;三支流氣路分別通過后級氣動擋板閥15與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)連接;四支流氣路分別通過后級氣動擋板閥(15)與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)、N沉積腔(13)和傳輸室(18)連接;
所說的CH4氣路(3)、PH3氣路(4)、GeH4氣路(6)、TMB氣路(7)在各自的前級氣動擋板閥(10)后,依次設(shè)置有流量計(14)和后級氣動擋板閥(15),而后CH4氣路(3)與P沉積腔(11)連接,PH3氣路(4)與N沉積腔(13)連接、GeH4氣路(6)與I沉積腔(12)連接、TMB氣路(7)與P沉積腔(11)連接;
在CH4氣路(3)、PH3氣路(4)、SiH4氣路(5)、GeH4氣路(6)、TMB氣路(7)和NF3氣路(8)的各前級氣動擋板閥(10)前通過三通依次連接有氣動擋板閥(18)和A單向閥(19),并且并聯(lián)于Ar氣路(2)的前級氣動擋板閥(10)和流量計(14)之間;
在靠近八種氣源的入口處通過三通連接有手動擋板閥(9),并且并聯(lián)通過B單向閥(16)與機(jī)械泵(17)連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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