[實用新型]用于等離子體增強化學氣相沉積設備的多腔室氣路系統無效
| 申請號: | 201020653887.1 | 申請日: | 2010-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN201971893U | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發明(設計)人: | 褚君浩;張傳軍;江錦春;莊春泉 | 申請(專利權)人: | 上海太陽能電池研究與發展中心 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 上海市浦東龍*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 等離子體 增強 化學 沉積 設備 多腔室氣路 系統 | ||
1.一種用于等離子體增強化學氣相沉積設備的多腔室氣路系統,包括:八種氣路,分別為H2氣路(1)、Ar氣路(2)、CH4氣路(3)、PH3氣路(4)、SiH4氣路(5)、GeH4氣路(6)、TMB氣路(7)和NF3氣路(8),其特征在于:
在各自氣路的前進方向上設置有前級氣動擋板閥(10);
所說的H2氣路(1)和SiH4氣路(5)在前級氣動擋板閥(10)后,分流成三支流氣路,這三支流氣路分別與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)連接,在通向P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)的三支流氣路上分別依次設置有流量計(14)和后級氣動擋板閥(15);
所說的NF3氣路(8)在前級氣動擋板閥(10)后設置有流量計(14),在其后分流成三支流氣路,這三支流氣路分別與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)連接,在通向P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)的三支流氣路上設置有后級氣動擋板閥(15);
所說的Ar氣路(2)在前級氣動擋板閥(10)后設置有流量計(14),在其后分流成三支流氣路或四支流氣路;三支流氣路分別通過后級氣動擋板閥15與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)和N沉積腔(13)連接;四支流氣路分別通過后級氣動擋板閥(15)與P沉積腔(11)、I沉積腔(12)、N沉積腔(13)和傳輸室(18)連接;
所說的CH4氣路(3)、PH3氣路(4)、GeH4氣路(6)、TMB氣路(7)在各自的前級氣動擋板閥(10)后,依次設置有流量計(14)和后級氣動擋板閥(15),而后CH4氣路(3)與P沉積腔(11)連接,PH3氣路(4)與N沉積腔(13)連接、GeH4氣路(6)與I沉積腔(12)連接、TMB氣路(7)與P沉積腔(11)連接;
在CH4氣路(3)、PH3氣路(4)、SiH4氣路(5)、GeH4氣路(6)、TMB氣路(7)和NF3氣路(8)的各前級氣動擋板閥(10)前通過三通依次連接有氣動擋板閥(18)和A單向閥(19),并且并聯于Ar氣路(2)的前級氣動擋板閥(10)和流量計(14)之間;
在靠近八種氣源的入口處通過三通連接有手動擋板閥(9),并且并聯通過B單向閥(16)與機械泵(17)連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





